Биполярные (BJT)

MJD44H11T4G JSMSEMI Биполярный транзистор NPN, 80 В, 8 А, TO-252 (DPAK)

MJD44H11T4G JSMSEMI Биполярный транзистор NPN, 80 В, 8 А, TO-252 (DPAK)

MPN
MJD44H11T4G
Бренд
JSMSEMI
Артикул RU
127467
Каталог обновлён
14.07.2026
Источник / остаток
Каталог RU Electronics · 2 500 шт ожидается
Lead time
Уточняется при подтверждении
MOQ
Уточняется при подтверждении
Кратность заказа
Не задана в источнике
Фасовка
2 500 шт в упаковке
Date code / партия
Год / маркировка партии не указаны
Документация
Datasheet: 1
Под заказ18,43 ₽

Закупка для юридических лиц

До оплаты менеджер подтвердит цену, доступный остаток, фасовку и срок поставки именно для вашего объёма.

Юридические лицаБезналичная оплата, договор и работа по реквизитам компании.
ДокументыСчёт, УПД и комплект закрывающих документов к поставке.
ДоставкаУсловия и стоимость доставки согласуем до подтверждения заказа.
Подтверждение условийЦена и остаток из каталога считаются подтверждёнными только после ответа менеджера.

Документация и схема

Просмотр без скачивания · файлы загружаются по запросу
PDF · Datasheet

Datasheet MJD44H11T4G

Технические параметры, размеры и рекомендации производителя

Скачать
Миниатюра: Схема MJD44H11T4G
IMAGE · Схема

Схема MJD44H11T4G

Габаритный чертёж и расположение контактов

Скачать

Характеристики

14 параметров из источника
Описание
Транзистор биполярный NPN; В; 8 А; hFE 40...; TO-252 (DPAK)
Тип проводимости
NPN
Максимальное напряжение КБ (Vcbo), В
80
Максимальное напряжение ЭБ (Vebo), В
5
Напряжение насыщения КЭ Vce(sat), В
1
Максимальный постоянный ток коллектора, А
8
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
50
Коэффициент усиления hFE мин.
40
Граничная частота ft, МГц
50
Транспортная упаковка: размер/кол-во
62*27.5*28/2500
Вес брутто
0.57
Упаковка
REEL, 2500 шт.
Корпус
TO-252 (DPAK)
Способ монтажа
Поверхностный

Описание

MJD44H11T4G Биполярный транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Тип проводимости NPN. Максимальное напряжение КЭ Vceo 80 В, максимальный ток оллектора Ic max 8 А, минимальный коэффициент усиления по току hFE 40. Комплементарная пара: MJD45H11T4G

Сравнение с аналогами

Одинаковые критичные параметры показаны относительно текущего товара. Отличие не всегда означает несовместимость — проверьте datasheet.

Как сравниваем

Сначала показываем аналоги, указанные в источнике, затем позиции из той же категории с наиболее близкими параметрами. Цена и остаток не подтверждают взаимозаменяемость.

Все товары категории
Сравнение текущего товара с предложенными аналогами
Критичный параметр5 критериев
Текущий товарMJD44H11T4GJSMSEMIАрт. RU 127467
18,43 ₽Под заказ
Параметрический вариантST MicroelectronicsMJD122T4Арт. RU 119801
35,22 ₽1 735 шт по каталогу

Совпадает 4 из 5 сравнимых параметров

Параметрический вариантJSMSEMIMJD45H11T4GАрт. RU 127469
21,55 ₽1 036 шт по каталогу

Совпадает 3 из 5 сравнимых параметров

Параметрический вариантAMS9013Арт. RU 124639
0,79 ₽30 000 шт по каталогу

Совпадает 3 из 5 сравнимых параметров

Параметрический вариантJSMSEMIMJD42CАрт. RU 127466
15,30 ₽2 350 шт по каталогу

Совпадает 2 из 5 сравнимых параметров

Способ монтажаПоверхностныйПоверхностныйСовпадаетПоверхностныйСовпадаетПоверхностныйСовпадаетПоверхностныйСовпадает
Тип проводимостиNPNNPNСовпадаетPNPОтличаетсяNPNСовпадаетPNPОтличается
КорпусTO-252 (DPAK)TO-252 (DPAK)СовпадаетTO-252 (DPAK)СовпадаетSOT-23ОтличаетсяTO-252 (DPAK)Совпадает
Коэффициент усиления hFE мин.401000Отличается40Совпадает40Совпадает30Отличается
Максимальный постоянный ток коллектора, А88Совпадает-8Отличается0,5Отличается-6Отличается

Подбор основан на данных каталога и не означает полную взаимозаменяемость. Сверьте корпус, распиновку, рабочие режимы и datasheet перед заменой.