Биполярные (BJT)

MJD122T4 ST Microelectronics составной транзистор (Дарлингтона) NPN, 100 В, 8 А, TO-252 (DPAK)

MJD122T4 ST Microelectronics составной транзистор (Дарлингтона) NPN, 100 В, 8 А, TO-252 (DPAK)

MPN
MJD122T4
Бренд
ST Microelectronics
Артикул RU
119801
Каталог обновлён
14.07.2026
Источник / остаток
Каталог RU Electronics · 1 735 шт по данным каталога
Lead time
Со склада после подтверждения
MOQ
Уточняется при подтверждении
Кратность заказа
Не задана в источнике
Фасовка
25 шт в упаковке
Date code / партия
Год / маркировка: 2021

Внешний склад

Поставка со склада партнёра Compel

обновляется ежедневно
Compel · 22484427,38 ₽за шт · цена с вашей наценкой
11 258 штна внешнем складе
MOQ
1 шт
Заводская упаковка
2 500
Обновлено
02.08.2026
Сумма предложения27,38 ₽

Цена и остаток фиксируются после подтверждения менеджером. Срок поставки зависит от выбранного объёма.

1 735 шт в наличии35,22 ₽

Закупка для юридических лиц

До оплаты менеджер подтвердит цену, доступный остаток, фасовку и срок поставки именно для вашего объёма.

Юридические лицаБезналичная оплата, договор и работа по реквизитам компании.
ДокументыСчёт, УПД и комплект закрывающих документов к поставке.
ДоставкаУсловия и стоимость доставки согласуем до подтверждения заказа.
Подтверждение условийЦена и остаток из каталога считаются подтверждёнными только после ответа менеджера.

Документация и схема

Файлы в каталоге не найдены
Документы пока не привязаны

Запросим datasheet или схему у поставщика для этой позиции.

Характеристики

11 параметров из источника
Описание
Транзистор биполярный NPN; 100 В; 8 А; hFE 1000...; TO-252 (DPAK)
Тип проводимости
NPN
Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В
100
Максимальный постоянный ток коллектора, А
8
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
20
Коэффициент усиления hFE мин.
1000
Вес брутто
0.54
Упаковка
REEL, 2500 шт.
Тип
Составной транзистор (Дарлингтона)
Корпус
TO-252 (DPAK)
Способ монтажа
Поверхностный

Описание

MJD122T4 составной транзистор (Дарлингтона) для сквозного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Тип проводимости NPN. Максимальное напряжение коллектор-эммитер -100 Вольт, максимальный ток коллектора -8 Ампер, коэффициент усиления по току hFE 15.

Партии и фасовки

Год / маркировку и доступность подтвердим перед заказом
Год / маркировкаЕдиниц в упаковкеУпаковокВсего единиц
202125 шт691 725 шт

Сравнение с аналогами

Одинаковые критичные параметры показаны относительно текущего товара. Отличие не всегда означает несовместимость — проверьте datasheet.

Как сравниваем

Сначала показываем аналоги, указанные в источнике, затем позиции из той же категории с наиболее близкими параметрами. Цена и остаток не подтверждают взаимозаменяемость.

Все товары категории
Сравнение текущего товара с предложенными аналогами
Критичный параметр5 критериев
Текущий товарMJD122T4ST MicroelectronicsАрт. RU 119801
35,22 ₽1 735 шт по каталогу
Параметрический вариантJSMSEMIMJD44H11T4GАрт. RU 127467
18,43 ₽2 500 шт ожидается по каталогу

Совпадает 4 из 5 сравнимых параметров

Параметрический вариантJSMSEMIMJD127T4GАрт. RU 125412
10,25 ₽8 700 шт по каталогу

Совпадает 3 из 5 сравнимых параметров

Параметрический вариантYONGYUTAIMJD127Арт. RU 126453
9,88 ₽9 200 шт по каталогу

Совпадает 3 из 5 сравнимых параметров

Параметрический вариантON SemiconductorBC846BLT1GАрт. RU 127282
2,06 ₽82 500 шт по каталогу

Совпадает 2 из 4 сравнимых параметров

Способ монтажаПоверхностныйПоверхностныйСовпадаетПоверхностныйСовпадаетПоверхностныйСовпадаетПоверхностныйСовпадает
Тип проводимостиNPNNPNСовпадаетPNPОтличаетсяPNPОтличаетсяNPNСовпадает
КорпусTO-252 (DPAK)TO-252 (DPAK)СовпадаетTO-252 (DPAK)СовпадаетTO-252 (DPAK)СовпадаетSOT-23-3Отличается
Максимальный постоянный ток коллектора, А88Совпадает-8Отличается-3Отличается0,1Отличается
Коэффициент усиления hFE мин.100040Отличается1000Совпадает1000СовпадаетНет данных

Подбор основан на данных каталога и не означает полную взаимозаменяемость. Сверьте корпус, распиновку, рабочие режимы и datasheet перед заменой.