IRF5305PBF-VB

Источник / остаток

Внешний склад · 675 шт. на внешнем складе

Lead time

Подтвердим по внешнему складу

MOQ

Уточняется при подтверждении

Кратность заказа

Не задана в источнике

Фасовка

Не указана в источнике

Date code / партия

Год / маркировка партии не указаны

Документация

Datasheet: 1

IRF5305PBF-VB www.VBsemi.com IRF5305PBF-VB Datasheet P-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY VDS (V) - 60 RDS(on) () Max. ID (A) 0.0480 at VGS = -... IRF5305PBF-VB / VBSemi Главная Каталог Дискретные полупроводники Транзисторы и ключи FET транзисторы Публикации Каталог Компания IRF5305PBF-VB VBSemi IRF5305PBF-VB www.VBsemi.com IRF5305PBF-VB Datasheet P-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY VDS (V) - 60 RDS(on) () Max. ID (A) 0.0480 at VGS = - 10 V - 45 0.0560 at VGS = - 4.5 V - 40 Qg (Typ.) 67 • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 % Rg and UIS Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS S TO-220AB ... развернуть ▼ свернуть ▲ Группа: FET транзисторы Альт. имя: IRF5305PBF (VBSEMI) Корпус: TO-220-3 Норма упаковки: 50 шт. (в линейках) сравнитьтовар в списке сравнения Технические характеристики показать свернуть Корпус TO-220-3 Конфигурация и полярность Максимальное напряжение сток-исток Ток стока номинальный при 25°C Сопротивление открытого канала (мин) Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) Рассеиваемая мощность Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER Файлы 1 показать свернуть IRF5305PBF-VB www.VBsemi.com IRF5305PBF-VB Datasheet P-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY VDS (V) - 60 RDS(on) () Max. ID (A) 0.0480 at VGS = - 10 V - 45 0.0560 at VGS = - 4.5 V - 40 Qg (Typ.) 67 • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 % Rg and UIS Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS S TO-220AB • Power Switch • Load Switch in High Current Applications • DC/DC Converters G D G D S P-Channel MOSFET Top View ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C, unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Drain-Source Voltage VDS - 60 Gate-Source Voltage VGS ± 20 ID - 45 Pulsed Drain Current (t = 300 μs) IDM - 100 Avalanche Current IAS - 32 Continuous Drain Current (TJ = 150 °C) Single Avalanche Energya Maximum Power Dissipationa Operating Junction and Storage Temperature Range TC = 25 °C TC = 70 °C L = 0.1 mH TC = 25 °C TA = 25 °Cc EAS PD - 39 51 41.7b 2.1 Unit V A mJ W TJ, Tstg - 55 to 150 °C Unit THERMAL RESISTANCE RATINGS Parameter Symbol Limit Junction-to-Ambient (PCB Mount)c RthJA 60 Junction-to-Case (Drain) RthJC 3 °C/W Notes: a. Duty cycle  1 %. b. See SOA curve for voltage derating. c. When mounted on 1" square PCB (FR-4 material). 1 PDF Документация на IRF5305PBF-VB Дата модификации: 15.03.2024 Размер: 157.4 Кб 7 стр. найти IRF5305PBF-VB.pdf Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя. C3M0120090D (CREE PWR) SCQ065G15H (SUNCO) Москва, Новохохловская ул., 23, стр.1 +7 (495) 995-0901 Санкт-Петербург +7 (812) 327-9404 Служба контроля качества Помощь по работе с сайтом Требования к браузеру Правовая информация Соответствует требованиям ISO 9001:2015 АО «КОМПЭЛ» © 1993-2026