IRF5305STR-VB

Источник / остаток

Внешний склад · 275 шт. на внешнем складе

Lead time

Подтвердим по внешнему складу

MOQ

Уточняется при подтверждении

Кратность заказа

Не задана в источнике

Фасовка

Не указана в источнике

Date code / партия

Год / маркировка партии не указаны

Документация

Datasheet: 1

IRF5305STR www.VBsemi.tw P-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY VDS (V) - 60 RDS(on) () Max. ID (A) 0.048at VGS = - 10 V - 35 0.060at VGS = - 4.5... IRF5305STR-VB / VBSemi Главная Каталог Дискретные полупроводники Транзисторы и ключи FET транзисторы Публикации Каталог Компания IRF5305STR-VB VBSemi IRF5305STR www.VBsemi.tw P-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY VDS (V) - 60 RDS(on) () Max. ID (A) 0.048at VGS = - 10 V - 35 0.060at VGS = - 4.5 V - 30 Qg (Typ.) 60 • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 % Rg and UIS Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS S • Power Switch • Load Switch in High Curre... развернуть ▼ свернуть ▲ Группа: FET транзисторы Корпус: — Норма упаковки: 50 шт. (в линейках) сравнитьтовар в списке сравнения Технические характеристики показать свернуть Конфигурация и полярность Максимальное напряжение сток-исток Ток стока номинальный при 25°C Сопротивление открытого канала (мин) Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) Диапазон номинальных напряжений затвора Максимальное напряжение затвора Заряд затвора Рассеиваемая мощность Ёмкость затвора Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER Файлы 1 показать свернуть IRF5305STR www.VBsemi.tw P-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY VDS (V) - 60 RDS(on) () Max. ID (A) 0.048at VGS = - 10 V - 35 0.060at VGS = - 4.5 V - 30 Qg (Typ.) 60 • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 % Rg and UIS Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS S • Power Switch • Load Switch in High Current Applications • DC/DC Converters D2PAK (TO-263) G G D D S P-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C, unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Drain-Source Voltage VDS - 60 Gate-Source Voltage VGS ± 20 Continuous Drain Current (TJ = 150 °C) TC = 25 °C TC = 70 °C Pulsed Drain Current (t = 300 μs) Avalanche Current Single Avalanche Energya Maximum Power Dissipationa Operating Junction and Storage Temperature Range L = 0.1 mH TC = 25 °C TA = 25 °Cc ID Unit V - 35 - 30 IDM - 100 IAS - 32 EAS 51 A mJ b PD 61 6.1 W TJ, Tstg - 55 to 150 °C Unit THERMAL RESISTANCE RATINGS Parameter Symbol Limit Junction-to-Ambient (PCB Mount)c RthJA 60 Junction-to-Case (Drain) RthJC 3 Notes: a. Duty cycle  1 %. b. See SOA curve for voltage derating. c. When mounted on 1" square PCB (FR-4 material). E-mail:China@VBsemi TEL:86-755-83251052 °C/W PDF Документация на IRF5305STR-VB Дата модификации: 06.03.2024 Размер: 1.38 Мб 7 стр. найти IRF5305STR-VB.pdf Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя. C3M0120090D (CREE PWR) SCQ065G15H (SUNCO) Москва, Новохохловская ул., 23, стр.1 +7 (495) 995-0901 Санкт-Петербург +7 (812) 327-9404 Служба контроля качества Помощь по работе с сайтом Требования к браузеру Правовая информация Соответствует требованиям ISO 9001:2015 АО «КОМПЭЛ» © 1993-2026