IRF7324TRPBF-VB

Источник / остаток

Внешний склад · 1 234 шт. на внешнем складе

Lead time

Подтвердим по внешнему складу

MOQ

Уточняется при подтверждении

Кратность заказа

Не задана в источнике

Фасовка

Не указана в источнике

Date code / партия

Год / маркировка партии не указаны

Документация

Datasheet: 1

IRF7324TR www.VBsemi.tw Dual P-Channel 20V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY VDS (V) - 20 RDS(on) (Ω) ID (A) 0.018 at VGS = - 4.5 V - 8.9 0.022 at VGS = -... IRF7324TRPBF-VB / VBSemi Главная Каталог Дискретные полупроводники Транзисторы и ключи FET транзисторы Публикации Каталог Компания IRF7324TRPBF-VB VBSemi IRF7324TR www.VBsemi.tw Dual P-Channel 20V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY VDS (V) - 20 RDS(on) (Ω) ID (A) 0.018 at VGS = - 4.5 V - 8.9 0.022 at VGS = - 2.5 V - 8.1 0.030 at VGS = - 1.8 V - 3.6 • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • Advanced High Cell Density Process • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Load Switc... развернуть ▼ свернуть ▲ Группа: FET транзисторы Корпус: — Норма упаковки: 4000 шт. (в ленте) сравнитьтовар в списке сравнения Технические характеристики показать свернуть Конфигурация и полярность Максимальное напряжение сток-исток Ток стока номинальный при 25°C Сопротивление открытого канала (мин) Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) Диапазон номинальных напряжений затвора Максимальное напряжение затвора Заряд затвора Рассеиваемая мощность Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER Файлы 1 показать свернуть IRF7324TR www.VBsemi.tw Dual P-Channel 20V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY VDS (V) - 20 RDS(on) (Ω) ID (A) 0.018 at VGS = - 4.5 V - 8.9 0.022 at VGS = - 2.5 V - 8.1 0.030 at VGS = - 1.8 V - 3.6 • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • Advanced High Cell Density Process • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Load Switching S1 S2 SO-8 S1 1 8 D1 G1 2 7 D1 S2 3 6 D2 G2 4 5 D2 G1 G2 D1 D2 P-Channel MOSFET P-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 °C, unless otherwise noted Parameter Symbol Steady State 10 s Drain-Source Voltage VDS - 20 Gate-Source Voltage VGS ± 12 Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)a TA = 25 °C TA = 70 °C Continuous Source Current (Diode Conduction)a IS TA = 25 °C TA = 70 °C PD - 6.7 - 7.1 - 5.4 - 30 - 1.7 A - 0.9 2.0 1.1 1.3 0.7 TJ, Tstg Operating Junction and Storage Temperature Range V - 8.9 IDM Pulsed Drain Current Maximum Power Dissipationa ID Unit - 55 to 150 W °C THERMAL RESISTANCE RATINGS Parameter Maximum Junction-to-Ambienta Maximum Junction-to-Foot (Drain) Notes: a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board. E-mail:China@VBsemi TEL:86-755-83251052 Symbol t ≤ 10 s Steady State Steady State RthJA RthJF Typical Maximum 46 62.5 80 110 24 32 Unit °C/W PDF Документация на IRF7324TRPBF Subject: Дата модификации: 18.10.2023 Размер: 1.16 Мб 8 стр. найти IRF7324TRPBF-VB.pdf Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя. C3M0120090D (CREE PWR) SCQ065G15H (SUNCO) Москва, Новохохловская ул., 23, стр.1 +7 (495) 995-0901 Санкт-Петербург +7 (812) 327-9404 Служба контроля качества Помощь по работе с сайтом Требования к браузеру Правовая информация Соответствует требованиям ISO 9001:2015 АО «КОМПЭЛ» © 1993-2026