Дискретные IGBT транзисторы IKP40N65H5XKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 650 В, 74 А, 255 Вт, корпус PG-TO220-3 IKP40N65H5XKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 650 В, 74 А, 255 Вт, корпус PG-TO220-3
MPN IKP40N65H5XKSA1 Копировать Артикул RU 122118 Копировать
Каталог обновлён 14.07.2026
Источник / остаток Каталог RU Electronics · 128 шт по данным каталога
Lead time Со склада после подтверждения
MOQ Уточняется при подтверждении
Кратность заказа Не задана в источнике
Фасовка 2 шт в упаковке
Date code / партия Год / маркировка: 2022 Увеличить По каталогу: 128 шт Остаток требует подтверждения · обновлено 14.07.2026 Поставка Дату и доступный объём подтвердит менеджер Цена с НДС 392,51 ₽ за шт
Цены для объёма с НДС
Оптовая 366,99 ₽ порог в КП
Спецусловия 333,63 ₽ порог в КП
Количественные пороги подтвердим в коммерческом предложении.
Заявка не добавляет товар в корзину и не уводит с этой страницы.
128 шт в наличии 392,51 ₽
Счёт/КП Закупка для юридических лиц До оплаты менеджер подтвердит цену, доступный остаток, фасовку и срок поставки именно для вашего объёма.
Юридические лица Безналичная оплата, договор и работа по реквизитам компании. Документы Счёт, УПД и комплект закрывающих документов к поставке. Доставка Условия и стоимость доставки согласуем до подтверждения заказа. Подтверждение условий Цена и остаток из каталога считаются подтверждёнными только после ответа менеджера.
Документация и схема Файлы в каталоге не найдены Документы пока не привязаны Запросим datasheet или схему у поставщика для этой позиции.
Запросить документацию
Характеристики 8 параметров из источника
Максимальное напряжение КЭ (Vces), В 650
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 250
Транспортная упаковка: размер/кол-во 60*40*40/150
Вес брутто 3.00
Упаковка 50
MSL(Уровень чувствительности к влажности) 1
Тип IGBT
Корпус TO-220
Партии и фасовки Год / маркировку и доступность подтвердим перед заказом Год / маркировка Единиц в упаковке Упаковок Всего единиц
2022 2 шт 64 128 шт
Сравнение текущего товара с предложенными аналогами Критичный параметр 5 критериев 407,85 ₽ Совпадает 2 из 3 сравнимых параметров
145,17 ₽ Совпадает 2 из 3 сравнимых параметров
175,00 ₽ Совпадает 2 из 3 сравнимых параметров
123,90 ₽ Совпадает 2 из 3 сравнимых параметров
Корпус TO-220 TO-247 TO-247 TO-220 TO-220 Максимальное напряжение КЭ (Vces), В 650 — — — — MSL(Уровень чувствительности к влажности) 1 1 1 1 1 Тип IGBT IGBT IGBT MOSFET MOSFET Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 250 — — — —
407,85 ₽ Совпадает 2 из 3 сравнимых параметров
Корпус Текущий TO-220 Аналог TO-247 Максимальное напряжение КЭ (Vces), В Текущий 650 Аналог — MSL(Уровень чувствительности к влажности) Текущий 1 Аналог 1 Тип Текущий IGBT Аналог IGBT Максимальная рассеиваемая мощность, Вт Текущий 250 Аналог — Открыть товар 145,17 ₽ Совпадает 2 из 3 сравнимых параметров
Корпус Текущий TO-220 Аналог TO-247 Максимальное напряжение КЭ (Vces), В Текущий 650 Аналог — MSL(Уровень чувствительности к влажности) Текущий 1 Аналог 1 Тип Текущий IGBT Аналог IGBT Максимальная рассеиваемая мощность, Вт Текущий 250 Аналог — Открыть товар 175,00 ₽ Совпадает 2 из 3 сравнимых параметров
Корпус Текущий TO-220 Аналог TO-220 Максимальное напряжение КЭ (Vces), В Текущий 650 Аналог — MSL(Уровень чувствительности к влажности) Текущий 1 Аналог 1 Тип Текущий IGBT Аналог MOSFET Максимальная рассеиваемая мощность, Вт Текущий 250 Аналог — Открыть товар 123,90 ₽ Совпадает 2 из 3 сравнимых параметров
Корпус Текущий TO-220 Аналог TO-220 Максимальное напряжение КЭ (Vces), В Текущий 650 Аналог — MSL(Уровень чувствительности к влажности) Текущий 1 Аналог 1 Тип Текущий IGBT Аналог MOSFET Максимальная рассеиваемая мощность, Вт Текущий 250 Аналог — Открыть товар Подбор основан на данных каталога и не означает полную взаимозаменяемость. Сверьте корпус, распиновку, рабочие режимы и datasheet перед заменой.
