Дискретные IGBT транзисторы

IRGP4063DPBF JSMSEMI IGBT транзистор, 650 В, 100 А, 2.6 мДж, TO-247

IRGP4063DPBF JSMSEMI IGBT транзистор, 650 В, 100 А, 2.6 мДж, TO-247

MPN
IRGP4063DPBF (JSMSEMI)
Бренд
JSMSEMI
Артикул RU
133152
Каталог обновлён
14.07.2026
Источник / остаток
Каталог RU Electronics · 225 шт ожидается
Lead time
Уточняется при подтверждении
MOQ
Уточняется при подтверждении
Кратность заказа
Не задана в источнике
Фасовка
450 шт в упаковке
Date code / партия
Год / маркировка партии не указаны
Под заказЦена по запросу

Закупка для юридических лиц

До оплаты менеджер подтвердит цену, доступный остаток, фасовку и срок поставки именно для вашего объёма.

Юридические лицаБезналичная оплата, договор и работа по реквизитам компании.
ДокументыСчёт, УПД и комплект закрывающих документов к поставке.
ДоставкаУсловия и стоимость доставки согласуем до подтверждения заказа.
Подтверждение условийЦена и остаток из каталога считаются подтверждёнными только после ответа менеджера.

Документация и схема

Просмотр без скачивания · файлы загружаются по запросу
Datasheet не найден в каталоге

Доступные схемы показаны ниже. Datasheet запросим отдельно у источника.

Миниатюра: Схема IRGP4063DPBF (JSMSEMI)
IMAGE · Схема

Схема IRGP4063DPBF (JSMSEMI)

Габаритный чертёж и расположение контактов

Скачать

Характеристики

13 параметров из источника
Максимальное напряжение КЭ (Vces), В
650
Максимальный ток коллектора (Ic), А
100
Напряжение насыщения КЭ Vce(sat), В
1,65
Пороговое напряжение ЗЭ (Vge(th)), В
5,3
Потери на переключение, мДж
2,6
Заряд затвора, нКл
183
Транспортная упаковка: размер/кол-во
59*33*18/225
Вес брутто
8.98
Описание
IGBT 650 В, 50 А, Vce(sat) 1.65 В, TO-247
Тип
IGBT
Корпус
TO-247
Способ монтажа
Through Hole
Диапазон рабочих температур
-55...+175 °С

Описание

IRGP4063DPBF IGBT транзистор для сквозного монтажа в корпусе TO-247. Напряжение КЭ Vces 650 В. Ток коллектора Ic 100 А (при Tc=25C). Напряжение насыщения КЭ Vce(sat) 1.65 В (Ic=50 А, Tj=25C). Общие потери на переключение 2.6 мДж.

Сравнение с аналогами

Одинаковые критичные параметры показаны относительно текущего товара. Отличие не всегда означает несовместимость — проверьте datasheet.

Как сравниваем

Сначала показываем аналоги, указанные в источнике, затем позиции из той же категории с наиболее близкими параметрами. Цена и остаток не подтверждают взаимозаменяемость.

Все товары категории
Сравнение текущего товара с предложенными аналогами
Критичный параметр5 критериев
Текущий товарIRGP4063DPBF (JSMSEMI)JSMSEMIАрт. RU 133152
Цена по запросуПод заказ
Параметрический вариантInfineon TechnologiesIRFP90N20DPBFАрт. RU 119535
167,91 ₽200 шт по каталогу

Совпадает 3 из 3 сравнимых параметров

Параметрический вариантInfineon TechnologiesIKW40N65ES5XKSA1Арт. RU 121687
145,17 ₽280 шт по каталогу

Совпадает 2 из 3 сравнимых параметров

Параметрический вариантInfineon TechnologiesIKW50N65ES5XKSA1Арт. RU 121647
407,85 ₽64 шт по каталогу

Совпадает 2 из 3 сравнимых параметров

Параметрический вариантON SemiconductorFGH40N60SFDTUАрт. RU 120039
193,28 ₽600 шт по каталогу

Совпадает 1 из 1 сравнимых параметров

КорпусTO-247TO-247СовпадаетTO-247СовпадаетTO-247СовпадаетTO-247Совпадает
Способ монтажаThrough HoleThrough HoleСовпадаетThrough HoleСовпадаетThrough HoleСовпадаетНет данных
Максимальное напряжение КЭ (Vces), В650Нет данныхНет данныхНет данныхНет данных
Напряжение насыщения КЭ Vce(sat), В1,65Нет данныхНет данныхНет данныхНет данных
Диапазон рабочих температур-55...+175 °С-55...+175 °ССовпадает-40...+175 °СОтличается-40...+175 °СОтличаетсяНет данных

Подбор основан на данных каталога и не означает полную взаимозаменяемость. Сверьте корпус, распиновку, рабочие режимы и datasheet перед заменой.