LMBTA64LT1G

Источник / остаток

Внешний склад · 333 шт. на внешнем складе

Lead time

Подтвердим по внешнему складу

MOQ

Уточняется при подтверждении

Кратность заказа

Не задана в источнике

Фасовка

Не указана в источнике

Date code / партия

Год / маркировка партии не указаны

Документация

Datasheet: 1

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Darlington Transistors PNP Silicon LMBTA63LT1G LMBTA64LT1G We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.... LMBTA64LT1G / LRC Главная Каталог Дискретные полупроводники Транзисторы и ключи Биполярный транзистор Публикации Каталог Компания LMBTA64LT1G LRC LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Darlington Transistors PNP Silicon LMBTA63LT1G LMBTA64LT1G We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit Collector–Emitter Voltage VCES –30 Vdc Collector–Base Voltage VCBO –30 Vdc Emitter–Base Voltage VEBO –10 Vdc IC –500 mAdc Collector Current – Continuous 3 1 2 CASE 318–08... развернуть ▼ свернуть ▲ Группа: Биполярный транзистор Корпус: — сравнитьтовар в списке сравнения Технические характеристики показать свернуть Тип проводимости и конфигурация Напряжение КЭ максимальное Напряжение падения КЭ в открытом состоянии Ток коллектора Граничная рабочая частота Коэффициент усиления по току Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER Файлы 1 показать свернуть LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Darlington Transistors PNP Silicon LMBTA63LT1G LMBTA64LT1G We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit Collector–Emitter Voltage VCES –30 Vdc Collector–Base Voltage VCBO –30 Vdc Emitter–Base Voltage VEBO –10 Vdc IC –500 mAdc Collector Current – Continuous 3 1 2 CASE 318–08, STYLE 6 SOT–23 (TO–236AB) DEVICE MARKING LMBTA63LT1G = 2U; LMBTA64LT1G = 2V THERMAL CHARACTERISTICS Characteristic COLLECTOR 3 Symbol Max Unit Total Device Dissipation FR–5 Board,(1) TA = 25°C Derate above 25°C PD 225 mW 1.8 mW/°C Thermal Resistance, Junction to Ambient R
JA 556 °C/W PD 300 mW 2.4 mW/°C R
JA 417 °C/W TJ, Tstg –55 to +150 °C Total Device Dissipation Alumina Substrate,(2) TA = 25°C Derate above 25°C Thermal Resistance, Junction to Ambient Junction and Storage Temperature BASE 1 EMITTER 2 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted) Characteristic Symbol Min Max Unit V(BR)CEO –30 – Vdc Collector Cutoff Current (VCB = –30 Vdc) ICBO – –100 nAdc Emitter Cutoff Current (VEB = –10 Vdc) IEBO – –100 nAdc 5,000 10,000 10,000 20,000 – – – – OFF CHARACTERISTICS Collector–Emitter Breakdown Voltage (IC = –100 μAdc) ON CHARACTERISTICS DC Current Gain(3) (IC = –10 mAdc, VCE = –5.0 Vdc) (IC = –10 mAdc, VCE = –5.0 Vdc) (IC = –100 mAdc, VCE = –5.0 Vdc) (IC = –100 mAdc, VCE = –5.0 Vdc) hFE LMBTA63LT1G LMBTA64LT1G LMBTA63LT1G LMBTA64LT1G – Collector–Emitter Saturation Voltage (IC = –100 mAdc, IB = –0.1 mAdc) VCE(sat) – –1.5 Vdc Base–Emitter On Voltage (IC = –100 mAdc, VCE = –5.0 Vdc) VBE(on) – –2.0 Vdc fT 125 – MHz SMALL–SIGNAL CHARACTERISTICS Current–Gain – Bandwidth Product (IC = –10 mAdc, VCE = –5.0 Vdc, f = 100 MHz) 1. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in. 2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina. 3. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 μs, Duty Cycle ≤ 2.0%. 1/3 PDF Документация на LMBTA64LT1G a1 Дата модификации: 18.06.2008 Размер: 125.8 Кб 3 стр. найти LMBTA64LT1G.pdf Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя. 2N3904 (DC) 2N4401 (JSCJ) Москва, Новохохловская ул., 23, стр.1 +7 (495) 995-0901 Санкт-Петербург +7 (812) 327-9404 Служба контроля качества Помощь по работе с сайтом Требования к браузеру Правовая информация Соответствует требованиям ISO 9001:2015 АО «КОМПЭЛ» © 1993-2026