LBSS84LT1G

Источник / остаток

Внешний склад · 33 367 шт. на внешнем складе

Lead time

Подтвердим по внешнему складу

MOQ

Уточняется при подтверждении

Кратность заказа

Не задана в источнике

Фасовка

Не указана в источнике

Date code / партия

Год / маркировка партии не указаны

Документация

Datasheet: 1

LBSS84LT1G S-LBSS84LT1G Power MOSFET 130 mAmps, 50 Volts P–Channel SOT-23 1. FEATURES ● We declare that the material of product compliance with RoHS requirements and... LBSS84LT1G / LRC Главная Каталог Дискретные полупроводники Транзисторы и ключи FET транзисторы Публикации Каталог Компания LBSS84LT1G LRC LBSS84LT1G S-LBSS84LT1G Power MOSFET 130 mAmps, 50 Volts P–Channel SOT-23 1. FEATURES ● We declare that the material of product compliance with RoHS requirements and Halogen Free. ● S- prefix for automotive and other applications requiring unique site and control change requirements; AEC-Q101 SOT23(TO-236) qualified and PPAP capable. ● Energy efficient 2. DEVICE MARKING AND ORDERING INFO... развернуть ▼ свернуть ▲ Группа: FET транзисторы Корпус: — Норма упаковки: 3000 шт. (в ленте) сравнитьтовар в списке сравнения Технические характеристики показать свернуть Конфигурация и полярность Максимальное напряжение сток-исток Ток стока номинальный при 25°C Сопротивление открытого канала (мин) Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) Диапазон номинальных напряжений затвора ± Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER Файлы 1 показать свернуть LBSS84LT1G S-LBSS84LT1G Power MOSFET 130 mAmps, 50 Volts P–Channel SOT-23 1. FEATURES ● We declare that the material of product compliance with RoHS requirements and Halogen Free. ● S- prefix for automotive and other applications requiring unique site and control change requirements; AEC-Q101 SOT23(TO-236) qualified and PPAP capable. ● Energy efficient 2. DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION Device Marking Shipping LBSS84LT1G PD 3000/Tape&Reel LBSS84LT3G PD 10000/Tape&Reel 3. MAXIMUM RATINGS(Ta = 25oC) Parameter Drain–Source Voltage Gate–to–Source Voltage – Continuous Symbol Limits Unit VDSS -50 Vdc VGS ±20 Vdc Drain Current mAdc – Continuous TA = 25°C – Pulsed (tp≤10μs) ID -130 IDM -520 Symbol Limits Unit PD 225 mW 1.8 mW/oC RΘJA 556 oC/W TJ,Tstg −55∼+150 oC TL 260 oC 4. THERMAL CHARACTERISTICS Parameter Total Device Dissipation, FR−5 Board (Note 1) @ TA = 25oC Derate above 25oC Thermal Resistance, Junction–to–Ambient(Note 1) Junction and Storage temperature Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes, for 10 seconds 1. FR–5 = 1.0×0.75×0.062 in. Leshan Radio Company, LTD. Rev.C Mar 2016 1/5 PDF Документация на LBSS84LT1G Дата модификации: 23.03.2016 Размер: 485.5 Кб 5 стр. найти LBSS84LT1G.pdf Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя. C3M0120090D (CREE PWR) SCQ065G15H (SUNCO) Москва, Новохохловская ул., 23, стр.1 +7 (495) 995-0901 Санкт-Петербург +7 (812) 327-9404 Служба контроля качества Помощь по работе с сайтом Требования к браузеру Правовая информация Соответствует требованиям ISO 9001:2015 АО «КОМПЭЛ» © 1993-2026