L2N7002KDW1T1G

Источник / остаток

Внешний склад · 482 шт. на внешнем складе

Lead time

Подтвердим по внешнему складу

MOQ

Уточняется при подтверждении

Кратность заказа

Не задана в источнике

Фасовка

Не указана в источнике

Date code / партия

Год / маркировка партии не указаны

Документация

Datasheet: 1

L2N7002KDW1T1G S-L2N7002KDW1T1G Small Signal MOSFET 380 mAmps, 60 Volts N–Channel SC-88 1. FEATURES ● We declare that the material of product compliance with RoHS... L2N7002KDW1T1G / LRC Главная Каталог Дискретные полупроводники Транзисторы и ключи FET транзисторы Публикации Каталог Компания L2N7002KDW1T1G LRC L2N7002KDW1T1G S-L2N7002KDW1T1G Small Signal MOSFET 380 mAmps, 60 Volts N–Channel SC-88 1. FEATURES ● We declare that the material of product compliance with RoHS requirements and Halogen Free. ● S- prefix for automotive and other applications requiring unique site and control change requirements; AEC-Q101 SC88(SOT-363) qualified and PPAP capable. ● ESD Protected 2. DEVICE MARKING AND OR... развернуть ▼ свернуть ▲ Группа: FET транзисторы Корпус: — сравнитьтовар в списке сравнения Технические характеристики показать свернуть Конфигурация и полярность Максимальное напряжение сток-исток Ток стока номинальный при 25°C Сопротивление открытого канала (мин) Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) Диапазон номинальных напряжений затвора ± Примечание Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER Файлы 1 показать свернуть L2N7002KDW1T1G S-L2N7002KDW1T1G Small Signal MOSFET 380 mAmps, 60 Volts N–Channel SC-88 1. FEATURES ● We declare that the material of product compliance with RoHS requirements and Halogen Free. ● S- prefix for automotive and other applications requiring unique site and control change requirements; AEC-Q101 SC88(SOT-363) qualified and PPAP capable. ● ESD Protected 2. DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION Device Marking Shipping L2N7002KDW1T1G 72K 3000/Tape&Reel L2N7002KDW1T3G 72K 10000/Tape&Reel 3. MAXIMUM RATINGS(Ta = 25oC) Parameter Symbol Limits Unit Drain–Source Voltage VDSS 60 Vdc Gate-Source Voltage VGS ±20 Vdc Drain Current ID mAdc – Steady State TA = 25°C 320 TA = 85°C 230 TA = 25°C 380 TA = 85°C 270 – t<5s Pulsed Drain Current (tp=10μs) Source Current (Body Diode) IDM 1.5 A IS 300 mA Symbol Limits Unit 4. THERMAL CHARACTERISTICS Parameter Total Device Dissipation(Note 1) PD mW – Steady State 300 – t<5s 420 Junction−to−Ambient(Note 1) RΘJA oC/W – Steady State 417 – t<5s 300 Lead Temperature for Soldering Purposes (1/8 " from case for 10 s) TL 260 oC Junction and Storage temperature TJ,Tstg −55∼+150 oC ESD 2000 V Gate−Source ESD Rating(HBM, Method 3015) 1. FR–5 = 1.0×0.75×0.062 in. Leshan Radio Company, LTD. Rev.F Mar 2016 1/6 PDF Документация на L2N7002KDW1T1G Дата модификации: 22.03.2016 Размер: 597.2 Кб 6 стр. найти L2N7002KDW1T1G.pdf Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя. C3M0120090D (CREE PWR) SCQ065G15H (SUNCO) Москва, Новохохловская ул., 23, стр.1 +7 (495) 995-0901 Санкт-Петербург +7 (812) 327-9404 Служба контроля качества Помощь по работе с сайтом Требования к браузеру Правовая информация Соответствует требованиям ISO 9001:2015 АО «КОМПЭЛ» © 1993-2026