CJ7252KDW

Источник / остаток

Внешний склад · 14 586 шт. на внешнем складе

Lead time

Подтвердим по внешнему складу

MOQ

Уточняется при подтверждении

Кратность заказа

Не задана в источнике

Фасовка

Не указана в источнике

Date code / партия

Год / маркировка партии не указаны

Документация

Datasheet: 1

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-363 Plastic-Encapsulate MOSFETs CJ7252KDW N Channel + P Channel Power MOSFET V(BR)DSS 60 V RDS(on)MAX ID... CJ7252KDW / JSCJ Главная Каталог Дискретные полупроводники Транзисторы и ключи FET транзисторы Публикации Каталог Компания CJ7252KDW JSCJ JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-363 Plastic-Encapsulate MOSFETs CJ7252KDW N Channel + P Channel Power MOSFET V(BR)DSS 60 V RDS(on)MAX ID SOT-363 5Ω@10V 5.3Ω@4.5V 0.34A 8Ω@-10V -50 V 10Ω@-5V -0.18A DESCRIPTION This N Channel + P Channel MOSFET has been designed using advanced power trench process to optimize the RDS(ON). FEATURE z High-Side Switching z Low Thre... развернуть ▼ свернуть ▲ Группа: FET транзисторы Корпус: SOT-323-6 SOT363 Норма упаковки: 3000 шт. (в ленте) сравнитьтовар в списке сравнения Технические характеристики показать свернуть Корпус SOT-323-6 SOT363 Конфигурация и полярность Максимальное напряжение сток-исток Ток стока номинальный при 25°C Сопротивление открытого канала (мин) Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) Диапазон номинальных напряжений затвора ± Примечание Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER Файлы 1 показать свернуть JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-363 Plastic-Encapsulate MOSFETs CJ7252KDW N Channel + P Channel Power MOSFET V(BR)DSS 60 V RDS(on)MAX ID SOT-363 5Ω@10V 5.3Ω@4.5V 0.34A 8Ω@-10V -50 V 10Ω@-5V -0.18A DESCRIPTION This N Channel + P Channel MOSFET has been designed using advanced power trench process to optimize the RDS(ON). FEATURE z High-Side Switching z Low Threshold z Fast Switching Speed APPLICATION z Drivers:Relays, Solenoids, Memories z Battery Operated Systems z Power Supply Converter Circuits z Load/Power Switching Cell Phones, Pagers MARKING: 75 Equivalent Circuit D1 6 G2 5 S2 4 1 2 3 S1 G1 D2 MAXIMUM RATINGS (Ta=25°C unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit N-Channel MOSFET VDS Drain-Source Voltage 60 V VGS Gate-Source Voltage ±20 V Drain Current -Continuous 0.34 A Drain Current - Pulsed(Note1) 1.36 A ID IDM P- Channel MOSFET VDS Drain-Source Voltage -50 V VGS Gate-Source Voltage ±20 V -0.18 A -0.7 A Power Dissipation 0.15 W Thermal Resistance from Junction to Ambient (Note2) 833 °C/W Tj Junction Temperature 150 °C Tstg Storage Temperature -55~+150 °C 260 °C ID IDM Drain Current -Continuous Drain Current – Pulsed (Note1) Power Dissipation, Temperature and Thermal Resistance PD RθJA TL Lead Temperature www.jscj-elec.com 1 Rev. - 1.0 PDF Документация на CJ7252KDW Microsoft Word - CJ7252KDW SOT-363 A-1.doc Дата модификации: 17.03.2016 Размер: 3.69 Мб 6 стр. найти CJ7252KDW.pdf Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя. C3M0120090D (CREE PWR) SCQ065G15H (SUNCO) Москва, Новохохловская ул., 23, стр.1 +7 (495) 995-0901 Санкт-Петербург +7 (812) 327-9404 Служба контроля качества Помощь по работе с сайтом Требования к браузеру Правовая информация Соответствует требованиям ISO 9001:2015 АО «КОМПЭЛ» © 1993-2026