WMQ50P03T1

Источник / остаток

Внешний склад · 3 шт. на внешнем складе

Lead time

Подтвердим по внешнему складу

MOQ

Уточняется при подтверждении

Кратность заказа

Не задана в источнике

Фасовка

Не указана в источнике

Date code / партия

Год / маркировка партии не указаны

Документация

Datasheet: 1

WMQ50P03T1 30V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMQ50P03T1 uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the... WMQ50P03T1 / WAYON Главная Каталог Дискретные полупроводники Транзисторы и ключи FET транзисторы Публикации Каталог Компания WMQ50P03T1 WAYON WMQ50P03T1 30V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMQ50P03T1 uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and D D D D D yet maintain superior switching performance. Features  S S S D D D G G S S PDFN3030-8L VDS= -30V, ID = -50A RDS(on) < 9mΩ @ VGS = -10V RDS(on) < 14mΩ @ VGS = -4.5V  Green... развернуть ▼ свернуть ▲ Группа: FET транзисторы Корпус: PDFN8L3X3 Норма упаковки: 3000 шт. (в ленте) сравнитьтовар в списке сравнения Технические характеристики показать свернуть Корпус PDFN8L3X3 Конфигурация и полярность Максимальное напряжение сток-исток Ток стока номинальный при 25°C Сопротивление открытого канала (мин) Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) Максимальное напряжение затвора Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER Файлы 1 показать свернуть WMQ50P03T1 30V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMQ50P03T1 uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and D D D D D yet maintain superior switching performance. Features  S S S D D D G G S S PDFN3030-8L VDS= -30V, ID = -50A RDS(on) < 9mΩ @ VGS = -10V RDS(on) < 14mΩ @ VGS = -4.5V  Green Device Available  Low Gate Charge  Advanced High Cell Density Trench Technology  100% EAS Guaranteed RoHS D compliant Applications G  Power Management Switches  Battery Protection Application S Absolute Maximum Ratings (TA = 25°C, unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS -30 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V Continuous Drain Current TC=25°C ID TC=100°C -50 -32 A IDM -200 A EAS 80 mJ PD 69 W TJ, TSTG -55 to 150 °C Symbol Value Unit Thermal Resistance from Junction-to-Ambient3 RθJA 65 °C/W Thermal Resistance from Junction-to-Case RθJC 1.8 °C/W Pulsed Drain Current1 Single Pulse Avalanche Energy2 Total Power Dissipation TC=25°C Operating Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristics Parameter Rev.4.0, 2022 Doc:W0803213 1/7 S PDF Документация на WMQ50P03T1 Shang Hai Wayon Thermo-Electro Keywords: Дата модификации: 24.03.2022 Размер: 664.7 Кб 7 стр. найти WMQ50P03T1.pdf Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя. C3M0120090D (CREE PWR) SCQ065G15H (SUNCO) Москва, Новохохловская ул., 23, стр.1 +7 (495) 995-0901 Санкт-Петербург +7 (812) 327-9404 Служба контроля качества Помощь по работе с сайтом Требования к браузеру Правовая информация Соответствует требованиям ISO 9001:2015 АО «КОМПЭЛ» © 1993-2026