WMQ55P02T1

Источник / остаток

Внешний склад · 11 826 шт. на внешнем складе

Lead time

Подтвердим по внешнему складу

MOQ

Уточняется при подтверждении

Кратность заказа

Не задана в источнике

Фасовка

Не указана в источнике

Date code / партия

Год / маркировка партии не указаны

Документация

Datasheet: 1

WMQ55P02T1 20V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMQ55P02T1 uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the... WMQ55P02T1 / WAYON Главная Каталог Дискретные полупроводники Транзисторы и ключи FET транзисторы Публикации Каталог Компания WMQ55P02T1 WAYON WMQ55P02T1 20V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMQ55P02T1 uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and D D D D D yet maintain superior switching performance. Features  S S S D D D G G S PDFN3030-8L VDS= -20V, ID = -55A RDS(on) < 8.2mΩ @ VGS = -4.5V RDS(on) < 10mΩ @ VGS = -2.5V  Green... развернуть ▼ свернуть ▲ Группа: FET транзисторы Корпус: PDFN8L3X3 Норма упаковки: 3000 шт. (в ленте) сравнитьтовар в списке сравнения Технические характеристики показать свернуть Корпус PDFN8L3X3 Конфигурация и полярность Максимальное напряжение сток-исток Ток стока номинальный при 25°C Сопротивление открытого канала (мин) Диапазон номинальных напряжений затвора Максимальное напряжение затвора Особенности Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER Файлы 1 показать свернуть WMQ55P02T1 20V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMQ55P02T1 uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and D D D D D yet maintain superior switching performance. Features  S S S D D D G G S PDFN3030-8L VDS= -20V, ID = -55A RDS(on) < 8.2mΩ @ VGS = -4.5V RDS(on) < 10mΩ @ VGS = -2.5V  Green Device Available  Low Gate Charge  Advanced High Cell Density Trench Technology  100% EAS Guaranteed RoHS compliant Applications D G  High Current Load Applications  Load Switching  Hard Switched And High Frequency Circuits  Uninterruptible Power Supply S Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS -20 V Gate-Source Voltage VGS ±10 V TC=25°C Continuous Drain Current1 TC=100°C ID -55 -27 A IDM -220 A EAS 20 mJ IAS -20 A PD 39 W TJ, TSTG -55 to 150 °C Symbol Value Unit Thermal Resistance from Junction-to-Ambient1 RθJA 38 °C/W Thermal Resistance from Junction-to-Case1 RθJC 3.2 °C/W Pulsed Drain Current2 Single Pulse Avalanche Energy3 Avalanche Current Total Power Dissipation4 TC=25°C Operating Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristics Parameter Rev.3.0, 2021 Doc:W0803274 1 / 6 S S PDF Документация на WMQ55P02T1 Shang Hai Wayon Thermo-Electro Дата модификации: 09.03.2022 Размер: 614 Кб 6 стр. найти WMQ55P02T1.pdf Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя. C3M0120090D (CREE PWR) SCQ065G15H (SUNCO) Москва, Новохохловская ул., 23, стр.1 +7 (495) 995-0901 Санкт-Петербург +7 (812) 327-9404 Служба контроля качества Помощь по работе с сайтом Требования к браузеру Правовая информация Соответствует требованиям ISO 9001:2015 АО «КОМПЭЛ» © 1993-2026