SI2301B

Источник / остаток

Внешний склад · 10 793 шт. на внешнем складе

Lead time

Подтвердим по внешнему складу

MOQ

Уточняется при подтверждении

Кратность заказа

Не задана в источнике

Фасовка

Не указана в источнике

Date code / партия

Год / маркировка партии не указаны

Документация

Datasheet: 1

UMW R UMW SI2301B UMW SI2301B P-Channel 20-V(D-S) MOSFET V(BR)DSS ID RDS(on)MAX 120 mΩ@-4.5V -20 V SOT-23 2.5 A 150 mΩ@-2.5V 1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN... SI2301B / UMW Главная Каталог Дискретные полупроводники Транзисторы и ключи FET транзисторы Публикации Каталог Компания SI2301B UMW UMW R UMW SI2301B UMW SI2301B P-Channel 20-V(D-S) MOSFET V(BR)DSS ID RDS(on)MAX 120 mΩ@-4.5V -20 V SOT-23 2.5 A 150 mΩ@-2.5V 1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN APPLICATION z Load Switch for Portable Devices z DC/DC Converter FEATURE TrenchFET Power MOSFET MARKING Equivalent Circuit A1SHB Maximum ratings (Ta=25°C unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Drain-Source Voltage VDS... развернуть ▼ свернуть ▲ Группа: FET транзисторы Корпус: SOT-23-3 Норма упаковки: 3000 шт. (в ленте) снято с производства сравнитьтовар в списке сравнения Технические характеристики показать свернуть Корпус SOT-23-3 Конфигурация и полярность Максимальное напряжение сток-исток Ток стока номинальный при 25°C Сопротивление открытого канала (мин) Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) Диапазон номинальных напряжений затвора ± Максимальное напряжение затвора Заряд затвора Рассеиваемая мощность Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER