SI2302A

Источник / остаток

Внешний склад · 171 240 шт. на внешнем складе

Lead time

Подтвердим по внешнему складу

MOQ

Уточняется при подтверждении

Кратность заказа

Не задана в источнике

Фасовка

Не указана в источнике

Date code / партия

Год / маркировка партии не указаны

Документация

Datasheet: 1

UMW R UMW SI2302A N-Channel Enhancement MOSFET ■ Features SOT–23 ● VDS=20V ● RDS(on)= 45mΩ@VGS=4.5V ,ID=3.6A ● RDS(on)= 60mΩ@VGS=2.5V ,ID=3.1A 1. GATE 2. SOURCE... SI2302A / UMW Главная Каталог Дискретные полупроводники Транзисторы и ключи FET транзисторы Публикации Каталог Компания SI2302A UMW UMW R UMW SI2302A N-Channel Enhancement MOSFET ■ Features SOT–23 ● VDS=20V ● RDS(on)= 45mΩ@VGS=4.5V ,ID=3.6A ● RDS(on)= 60mΩ@VGS=2.5V ,ID=3.1A 1. GATE 2. SOURCE G 1 S 2 3. DRAIN 3 D ■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C Parameter Symbol Rating Drain-Source Voltage VDS 20 Gate-Source Voltage VGS ±8 Continuous Drain Current *1 Ta=25°C ID Ta=70°C Pulsed Drain Current Power Dis... развернуть ▼ свернуть ▲ Группа: FET транзисторы Корпус: SOT-23-3 Норма упаковки: 3000 шт. (в ленте) сравнитьтовар в списке сравнения Технические характеристики показать свернуть Корпус SOT-23-3 Конфигурация и полярность Максимальное напряжение сток-исток Ток стока номинальный при 25°C Сопротивление открытого канала (мин) Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) Диапазон номинальных напряжений затвора ± Максимальное напряжение затвора Заряд затвора Рассеиваемая мощность Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER