IRF5803TRPBF-VB

Источник / остаток

Внешний склад · 3 819 шт. на внешнем складе

Lead time

Подтвердим по внешнему складу

MOQ

Уточняется при подтверждении

Кратность заказа

Не задана в источнике

Фасовка

Не указана в источнике

Date code / партия

Год / маркировка партии не указаны

Документация

Datasheet: 1

IRF5803TRPBF www.VBsemi.tw P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY VDS (V) - 30 RDS(on) (Ω) ID (A)a 0.049 at VGS = - 10 V - 4.8 0.054 at VGS = -... IRF5803TRPBF-VB / VBSemi Главная Каталог Дискретные полупроводники Транзисторы и ключи FET транзисторы Публикации Каталог Компания IRF5803TRPBF-VB VBSemi IRF5803TRPBF www.VBsemi.tw P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY VDS (V) - 30 RDS(on) (Ω) ID (A)a 0.049 at VGS = - 10 V - 4.8 0.054 at VGS = - 4.5 V - 4.1 • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Available • TrenchFET® Power MOSFET Qg (Typ.) 5.1 nC APPLICATIONS • Load Switch TSOP-6 Top V iew 1 (4) S 6 (3) G 3 mm 2 5 3 4 (1, 2, 5, 6) D 2.85 mm P-Channel MO... развернуть ▼ свернуть ▲ Группа: FET транзисторы Корпус: — Норма упаковки: 3000 шт. (в ленте) сравнитьтовар в списке сравнения Технические характеристики показать свернуть Конфигурация и полярность Максимальное напряжение сток-исток Ток стока номинальный при 25°C Сопротивление открытого канала (мин) Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) Диапазон номинальных напряжений затвора Максимальное напряжение затвора Заряд затвора Рассеиваемая мощность Ёмкость затвора Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER