BT168GW.115

Источник / остаток

Внешний склад · 52 322 шт. на внешнем складе

Lead time

Подтвердим по внешнему складу

MOQ

Уточняется при подтверждении

Кратность заказа

Не задана в источнике

Фасовка

Не указана в источнике

Date code / партия

Год / маркировка партии не указаны

Документация

Datasheet: 1

Тиристор: 600 В, 0.5 А, -40...125 , цена, описание, сравнение аналогов, статьи BT168GW.115 / WEEN SemiconductorS Co., Ltd. Главная Каталог Дискретные полупроводники Диоды и тиристоры Тиристоры Публикации Каталог Компания BT168GW.115 WEEN SemiconductorS Co., Ltd. Тиристор: 600 В, 0.5 А, -40...125 развернуть ▼ свернуть ▲ Группа: Тиристоры Корпус: TO261 Норма упаковки: 1000 шт. (в ленте) сравнитьтовар в списке сравнения Технические характеристики показать свернуть Корпус TO261 Тип управляемого диода Максимальное рабочее напряжение Ток коммутации номинальный Напряжение удержания открытого состояния Ток управляющего электрода на включение Ток управляющего электрода на выключение Время включения Время выключения Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER Файлы 1 показать свернуть Philips Semiconductors Product specification Thyristors logic level for RCD/ GFI/ LCCB applications GENERAL DESCRIPTION Glass passivated, sensitive gate thyristors in a plastic envelope suitable for surface mounting, intended for use in Residual Current Devices/ Ground Fault Interrupters/ Leakage Current Circuit Breakers (RCD/ GFI/ LCCB) applications where a minimum IGT limit is needed. These devices may be interfaced directly to microcontrollers, logic integrated circuits and other low power gate trigger circuits. PINNING - SOT223 PIN cathode 2 anode 3 gate tab QUICK REFERENCE DATA SYMBOL VDRM, VRRM IT(AV) IT(RMS) ITSM PARAMETER anode MAX. MAX. MAX. MAX. UNIT BT168 Repetitive peak off-state voltages Average on-state current RMS on-state current Non-repetitive peak on-state current PIN CONFIGURATION DESCRIPTION 1 BT168W series BW 200 DW 400 EW 500 GW 600 V 0.6 0.6 0.6 0.6 A 1 8 1 8 1 8 1 8 A A SYMBOL 4 a 2 1 k g 3 LIMITING VALUES Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134). SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. VDRM, VRRM Repetitive peak off-state voltages - IT(AV) Average on-state current IT(RMS) ITSM RMS on-state current Non-repetitive peak on-state current I2t dIT/dt I2t for fusing Repetitive rate of rise of on-state current after triggering Peak gate current Peak gate voltage Peak reverse gate voltage Peak gate power Average gate power over any 20 ms period Storage temperature Operating junction temperature IGM VGM VRGM PGM PG(AV) Tstg Tj half sine wave; Tsp ≤ 112 ̊C all conduction angles t = 10 ms t = 8.3 ms half sine wave; Tj = 25 ̊C prior to surge t = 10 ms ITM = 2 A; IG = 10 mA; dIG/dt = 100 mA/μs MAX. B 2001 D 4001 E 5001 UNIT G 6001 V - 0.63 A - 1 8 9 A A A - 0.32 50 A2s A/μs -40 - 1 5 5 2 0.1 150 125 A V V W W ̊C ̊C 1 Although not recommended, off-state voltages up to 800V may be applied without damage, but the thyristor may switch to the on-state. The rate of rise of current should not exceed 15 A/μs. September 1997 1 Rev 1.100 PDF Документация на BT168GW.115 DATASHEET SEARCH SITE | WWW.ALLDATASHEET.COM DATASHEET SEARCH, DATABOOK, COMPONENT, FREE DOWNLOAD SITE Дата модификации: 23.04.2006 Размер: 56.3 Кб 7 стр. найти BT168GW.115.pdf Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя. TISP61089QBDR-S (BOURNS) BT148W-600R (WEEN) Москва, Новохохловская ул., 23, стр.1 +7 (495) 995-0901 Санкт-Петербург +7 (812) 327-9404 Служба контроля качества Помощь по работе с сайтом Требования к браузеру Правовая информация Соответствует требованиям ISO 9001:2015 АО «КОМПЭЛ» © 1993-2026