BT169G.112

Источник / остаток

Внешний склад · 6 931 шт. на внешнем складе

Lead time

Подтвердим по внешнему складу

MOQ

Уточняется при подтверждении

Кратность заказа

Не задана в источнике

Фасовка

Не указана в источнике

Date code / партия

Год / маркировка партии не указаны

Документация

Datasheet: 1

Philips Semiconductors Product specification Thyristors logic level GENERAL DESCRIPTION Glass passivated, sensitive gate thyristors in a plastic envelope, intended... BT169G.112 / WEEN SemiconductorS Co., Ltd. Главная Каталог Дискретные полупроводники Диоды и тиристоры Тиристоры Публикации Каталог Компания BT169G.112 WEEN SemiconductorS Co., Ltd. Philips Semiconductors Product specification Thyristors logic level GENERAL DESCRIPTION Glass passivated, sensitive gate thyristors in a plastic envelope, intended for use in general purpose switching and phase control applications. These devices are intended to be interfaced directly to microcontrollers, logic integrated circuits and other low power gate trigger circuits. PINNING - TO92 var... развернуть ▼ свернуть ▲ Группа: Тиристоры Истор. имя: BT169G (WEEN) Корпус: TO-92-3 Норма упаковки: 1000 шт. сравнитьтовар в списке сравнения Технические характеристики показать свернуть Корпус TO-92-3 Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER Файлы 1 показать свернуть Philips Semiconductors Product specification Thyristors logic level GENERAL DESCRIPTION Glass passivated, sensitive gate thyristors in a plastic envelope, intended for use in general purpose switching and phase control applications. These devices are intended to be interfaced directly to microcontrollers, logic integrated circuits and other low power gate trigger circuits. PINNING - TO92 variant PIN BT169 series QUICK REFERENCE DATA SYMBOL VDRM, VRRM IT(AV) IT(RMS) ITSM PARAMETER MAX. MAX. MAX. MAX. UNIT BT169 Repetitive peak off-state voltages Average on-state current RMS on-state current Non-repetitive peak on-state current PIN CONFIGURATION B 200 D 400 E 500 G 600 V 0.5 0.5 0.5 0.5 A 0.8 8 0.8 8 0.8 8 0.8 8 A A SYMBOL DESCRIPTION 1 anode 2 gate 3 cathode a k g 3 2 1 LIMITING VALUES Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134). SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. VDRM, VRRM Repetitive peak off-state voltages - IT(AV) Average on-state current IT(RMS) ITSM RMS on-state current Non-repetitive peak on-state current I2t dIT/dt I2t for fusing Repetitive rate of rise of on-state current after triggering Peak gate current Peak gate voltage Peak reverse gate voltage Peak gate power Average gate power over any 20 ms period Storage temperature Operating junction temperature IGM VGM VRGM PGM PG(AV) Tstg Tj half sine wave; Tlead ≤ 83 ̊C all conduction angles t = 10 ms t = 8.3 ms half sine wave; Tj = 25 ̊C prior to surge t = 10 ms ITM = 2 A; IG = 10 mA; dIG/dt = 100 mA/μs MAX. B 2001 D 4001 E 5001 UNIT G 6001 V - 0.5 A - 0.8 8 9 A A A - 0.32 50 A2s A/μs -40 - 1 5 5 2 0.1 150 125 A V V W W ̊C ̊C 1 Although not recommended, off-state voltages up to 800V may be applied without damage, but the thyristor may switch to the on-state. The rate of rise of current should not exceed 15 A/μs. September 1997 1 Rev 1.200 PDF Документация на BT169D.112 Дата модификации: 11.09.2009 Размер: 43 Кб 6 стр. найти BT169G.112.pdf Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя. TISP61089QBDR-S (BOURNS) BT148W-600R (WEEN) Москва, Новохохловская ул., 23, стр.1 +7 (495) 995-0901 Санкт-Петербург +7 (812) 327-9404 Служба контроля качества Помощь по работе с сайтом Требования к браузеру Правовая информация Соответствует требованиям ISO 9001:2015 АО «КОМПЭЛ» © 1993-2026