Микросхемы питания ULN2803CDWR, Транзисторный массив Texas Instruments, 8 NPN Darlington, 50В, 0.5А, корпус SOIC-20(0.295", 7.50mm Width) ULN2803CDWR, Транзисторный массив Texas Instruments, 8 NPN Darlington, 50В, 0.5А, корпус SOIC-20(0.295", 7.50mm Width)
Артикул RU 123690 Копировать
Каталог обновлён 14.07.2026
Источник / остаток Каталог RU Electronics · 820 шт по данным каталога
Lead time Со склада после подтверждения
MOQ Уточняется при подтверждении
Кратность заказа Не задана в источнике
Фасовка 20 шт в упаковке
Date code / партия Год / маркировка: 2022 Увеличить По каталогу: 820 шт Остаток требует подтверждения · обновлено 14.07.2026 Поставка Дату и доступный объём подтвердит менеджер Цена с НДС 69,97 ₽ за шт
Цены для объёма с НДС
Оптовая 65,42 ₽ порог в КП
Спецусловия 59,47 ₽ порог в КП
Количественные пороги подтвердим в коммерческом предложении.
Заявка не добавляет товар в корзину и не уводит с этой страницы.
820 шт в наличии 69,97 ₽
Счёт/КП Закупка для юридических лиц До оплаты менеджер подтвердит цену, доступный остаток, фасовку и срок поставки именно для вашего объёма.
Юридические лица Безналичная оплата, договор и работа по реквизитам компании. Документы Счёт, УПД и комплект закрывающих документов к поставке. Доставка Условия и стоимость доставки согласуем до подтверждения заказа. Подтверждение условий Цена и остаток из каталога считаются подтверждёнными только после ответа менеджера.
Документация и схема Файлы в каталоге не найдены Документы пока не привязаны Запросим datasheet или схему у поставщика для этой позиции.
Запросить документацию
Характеристики 13 параметров из источника
Максимальный ток коллектора постоянный - 0,5 А
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) max - 50 В
Особенности для работы непосредственно с TTL или 5-ти В КМОП-устройствами
Конфигурация массив - 8 составных транзисторов
Описание Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 500mA Surface Mount 20-SOIC
Транспортная упаковка: размер/кол-во 58*46*36/2000
Вес брутто 0.75
Упаковка REEL, 2000 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности) 1
Тип Сборка составных транзисторов Дарлингтона серии ULN2803C
Корпус SOIC-20
Способ монтажа поверхностный (SMT)
Диапазон рабочих температур -65...+150 °С
Партии и фасовки Год / маркировку и доступность подтвердим перед заказом Год / маркировка Единиц в упаковке Упаковок Всего единиц
2022 20 шт 41 820 шт
Сравнение текущего товара с предложенными аналогами Критичный параметр 5 критериев Параметрический вариант Texas Instruments ULN2003ADR Арт. RU 112239 9,82 ₽ Совпадает 3 из 5 сравнимых параметров
Параметрический вариант Texas Instruments ULN2003AIDR Арт. RU 112241 13,83 ₽ Совпадает 3 из 5 сравнимых параметров
Параметрический вариант Texas Instruments TPIC6B595DWR Арт. RU 112140 81,34 ₽ Совпадает 2 из 2 сравнимых параметров
Параметрический вариант ST Microelectronics L293DD013TR Арт. RU 122828 175,94 ₽ Совпадает 2 из 2 сравнимых параметров
Корпус SOIC-20 SOIC-16 SOP-16 SOIC-20 SOIC-20 Способ монтажа поверхностный (SMT) поверхностный (SMT) поверхностный (SMT) поверхностный (SMT) поверхностный (SMT) Конфигурация массив - 8 составных транзисторов массив - 7 составных транзисторов массив - 7 составных транзисторов — — Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) max - 50 В коллектор-эмиттер (VCEO) max - 50 В коллектор-эмиттер (VCEO) max - 50 В — — Максимальный ток коллектора постоянный - 0,5 А коллектора постоянный - 0,5 А коллектора постоянный - 0,5 А — —
Параметрический вариант Texas Instruments ULN2003ADR Арт. RU 112239 9,82 ₽ Совпадает 3 из 5 сравнимых параметров
Корпус Текущий SOIC-20 Аналог SOIC-16 Способ монтажа Текущий поверхностный (SMT) Аналог поверхностный (SMT) Конфигурация Текущий массив - 8 составных транзисторов Аналог массив - 7 составных транзисторов Напряжение Текущий коллектор-эмиттер (VCEO) max - 50 В Аналог коллектор-эмиттер (VCEO) max - 50 В Максимальный ток Текущий коллектора постоянный - 0,5 А Аналог коллектора постоянный - 0,5 А Открыть товар Параметрический вариант Texas Instruments ULN2003AIDR Арт. RU 112241 13,83 ₽ Совпадает 3 из 5 сравнимых параметров
Корпус Текущий SOIC-20 Аналог SOP-16 Способ монтажа Текущий поверхностный (SMT) Аналог поверхностный (SMT) Конфигурация Текущий массив - 8 составных транзисторов Аналог массив - 7 составных транзисторов Напряжение Текущий коллектор-эмиттер (VCEO) max - 50 В Аналог коллектор-эмиттер (VCEO) max - 50 В Максимальный ток Текущий коллектора постоянный - 0,5 А Аналог коллектора постоянный - 0,5 А Открыть товар Параметрический вариант Texas Instruments TPIC6B595DWR Арт. RU 112140 81,34 ₽ Совпадает 2 из 2 сравнимых параметров
Корпус Текущий SOIC-20 Аналог SOIC-20 Способ монтажа Текущий поверхностный (SMT) Аналог поверхностный (SMT) Конфигурация Текущий массив - 8 составных транзисторов Аналог — Напряжение Текущий коллектор-эмиттер (VCEO) max - 50 В Аналог — Максимальный ток Текущий коллектора постоянный - 0,5 А Аналог — Открыть товар Параметрический вариант ST Microelectronics L293DD013TR Арт. RU 122828 175,94 ₽ Совпадает 2 из 2 сравнимых параметров
Корпус Текущий SOIC-20 Аналог SOIC-20 Способ монтажа Текущий поверхностный (SMT) Аналог поверхностный (SMT) Конфигурация Текущий массив - 8 составных транзисторов Аналог — Напряжение Текущий коллектор-эмиттер (VCEO) max - 50 В Аналог — Максимальный ток Текущий коллектора постоянный - 0,5 А Аналог — Открыть товар Подбор основан на данных каталога и не означает полную взаимозаменяемость. Сверьте корпус, распиновку, рабочие режимы и datasheet перед заменой.
