MCP6002T-I/SN операционный усилитель Microchip, 2 усилителя, 1 МГц, 1.8В... 6В, корпус SOIC-8
MPN MCP6002T-I/SN Копировать Артикул RU 113522 Копировать Основные параметры
Потребляемый ток 100 мкА
Выходной ток на канал - 23 мА
Технология CMOS
Скорость нарастания выходного напряжения (SR) - 600 мВ/ мкс
Плотность тока шума на входе - 0.0006 пA/sqrt Гц мВт
Коэффициент подавления - синфазного сигнала (CMRR) - 60; - помех по питанию (PSSR) - 86 дБ Все характеристики Увеличить RU Electronics 4 600 шт от 17,91 ₽ Внешний склад 1 поставка, 3 672 шт от 12,09 ₽ Склад RU Electronics Собственное предложение В наличии Цена за единицу 19,15 ₽ за шт с НДС
По каталогу: 4 600 шт Остаток требует подтверждения · обновлено 21.08.2026 Оптовая цена от 17,91 ₽
Условия для вашего объёма — в КП Рассчитать заказ по базовой цене
Итого по базовой цене 19,15 ₽
Остаток, цену и срок подтвердит менеджер.
4 600 шт в наличии 19,15 ₽
Счёт/КП Нужна помощь инженера? Задайте вопрос о товаре или производителе.
Заказать бесплатный образец Характеристики Документация Поставка и фасовки Сравнение с аналогами
Характеристики 20 параметров из источника Электрические параметры
Потребляемый ток 100 мкА
Выходной ток на канал - 23 мА
Напряжение питания 1,8...5,5 (max) В
Входное напряжение смещения нуля (Vos) - 4,5 мкВ
Входной ток смещения (Ib) - 1 пA Монтаж и корпус
Корпус SOIC-8
Способ монтажа поверхностный (SMT) Условия эксплуатации
MSL(Уровень чувствительности к влажности) 1
Диапазон рабочих температур -40...+125 °С Упаковка и вес
Вес брутто 0.27
Транспортная упаковка: размер/кол-во 60*50*50/6600
Упаковка REEL, 3300 шт. Другие параметры
Технология CMOS
Скорость нарастания выходного напряжения (SR) - 600 мВ/ мкс
Плотность тока шума на входе - 0.0006 пA/sqrt Гц мВт
Коэффициент подавления - синфазного сигнала (CMRR) - 60; - помех по питанию (PSSR) - 86 дБ
Характеристика (en) - интенсивность шума входного напряжения - 28 нВ/ sqrt Гц
Стандарт AEC-Q100
Усиление по напряжению - 112 дБ
Тип Двухканальный операционный усилитель серии MCP6002
Документация и схема Файлы в каталоге не найдены Документы пока не привязаны Запросим datasheet или схему у поставщика для этой позиции.
Запросить документацию
Условия поставки Обновлено 21.08.2026
Источник / остаток Каталог RU Electronics · 4 600 шт по данным каталога
Lead time Со склада после подтверждения
MOQ Уточняется при подтверждении
Кратность заказа Не задана в источнике
Фасовка 50 шт в упаковке
Date code / партия Год / маркировка: 2023 / 2024
Партии и фасовки Год / маркировку и доступность подтвердим перед заказом Год / маркировка Единиц в упаковке Упаковок Всего единиц
2023 50 шт 61 3 050 шт
2024 50 шт 31 1 550 шт
Сравнение текущего товара с предложенными аналогами Критичный параметр 5 критериев 20,18 ₽ Совпадает 4 из 5 сравнимых параметров
101,60 ₽ Совпадает 2 из 3 сравнимых параметров
12,97 ₽ Совпадает 2 из 3 сравнимых параметров
Параметрический вариант Texas Instruments SN65HVD75DR Арт. RU 112091 27,56 ₽ Совпадает 2 из 3 сравнимых параметров
Корпус SOIC-8 SOT-23-5 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8 Способ монтажа поверхностный (SMT) поверхностный (SMT) поверхностный (SMT) поверхностный (SMT) поверхностный (SMT) Напряжение питания 1,8...5,5 (max) В 1,8...5,5 (max) В 5 (4,5 min; 5,5 max) В ± 7 В 3...3,6 В Входное напряжение смещения нуля (Vos) - 4,5 мкВ смещения нуля (Vos) - 4,5 мкВ — — — Входной ток смещения (Ib) - 1 пA смещения (Ib) - 1 пA — — —
20,18 ₽ Совпадает 4 из 5 сравнимых параметров
Корпус Текущий SOIC-8 Аналог SOT-23-5 Способ монтажа Текущий поверхностный (SMT) Аналог поверхностный (SMT) Напряжение питания Текущий 1,8...5,5 (max) В Аналог 1,8...5,5 (max) В Входное напряжение Текущий смещения нуля (Vos) - 4,5 мкВ Аналог смещения нуля (Vos) - 4,5 мкВ Входной ток Текущий смещения (Ib) - 1 пA Аналог смещения (Ib) - 1 пA Открыть товар 101,60 ₽ Совпадает 2 из 3 сравнимых параметров
Корпус Текущий SOIC-8 Аналог SOIC-8 Способ монтажа Текущий поверхностный (SMT) Аналог поверхностный (SMT) Напряжение питания Текущий 1,8...5,5 (max) В Аналог 5 (4,5 min; 5,5 max) В Входное напряжение Текущий смещения нуля (Vos) - 4,5 мкВ Аналог — Входной ток Текущий смещения (Ib) - 1 пA Аналог — Открыть товар 12,97 ₽ Совпадает 2 из 3 сравнимых параметров
Корпус Текущий SOIC-8 Аналог SOIC-8 Способ монтажа Текущий поверхностный (SMT) Аналог поверхностный (SMT) Напряжение питания Текущий 1,8...5,5 (max) В Аналог ± 7 В Входное напряжение Текущий смещения нуля (Vos) - 4,5 мкВ Аналог — Входной ток Текущий смещения (Ib) - 1 пA Аналог — Открыть товар Параметрический вариант Texas Instruments SN65HVD75DR Арт. RU 112091 27,56 ₽ Совпадает 2 из 3 сравнимых параметров
Корпус Текущий SOIC-8 Аналог SOIC-8 Способ монтажа Текущий поверхностный (SMT) Аналог поверхностный (SMT) Напряжение питания Текущий 1,8...5,5 (max) В Аналог 3...3,6 В Входное напряжение Текущий смещения нуля (Vos) - 4,5 мкВ Аналог — Входной ток Текущий смещения (Ib) - 1 пA Аналог — Открыть товар Подбор основан на данных каталога и не означает полную взаимозаменяемость. Сверьте корпус, распиновку, рабочие режимы и datasheet перед заменой.
Закупка для юридических лиц До оплаты менеджер подтвердит цену, доступный остаток, фасовку и срок поставки именно для вашего объёма.
Юридические лица Безналичная оплата, договор и работа по реквизитам компании. Документы Счёт, УПД и комплект закрывающих документов к поставке. Доставка Условия и стоимость доставки согласуем до подтверждения заказа. Подтверждение условий Цена и остаток из каталога считаются подтверждёнными только после ответа менеджера. 
