С изолированным затвором (MOSFET) IRF7314TRPBF, Сборка из двух полевых P-канальных транзисторов Infineon Technologies, 20В, 5.3А, 2.0Вт, 0.058 Ом, корпус SOIC-8 IRF7314TRPBF, Сборка из двух полевых P-канальных транзисторов Infineon Technologies, 20В, 5.3А, 2.0Вт, 0.058 Ом, корпус SOIC-8
MPN IRF7314TRPBF Копировать Артикул RU 122169 Копировать
Каталог обновлён 14.07.2026
Источник / остаток Каталог RU Electronics · 1 шт по данным каталога
Lead time Со склада после подтверждения
MOQ Уточняется при подтверждении
Кратность заказа Не задана в источнике
Фасовка 1 шт в упаковке
Date code / партия Год / маркировка партии не указаны Увеличить По каталогу: 1 шт Остаток требует подтверждения · обновлено 14.07.2026 Поставка Дату и доступный объём подтвердит менеджер Цена с НДС 50,41 ₽ за шт
Цены для объёма с НДС
Оптовая 47,14 ₽ порог в КП
Спецусловия 42,85 ₽ порог в КП
Количественные пороги подтвердим в коммерческом предложении.
Заявка не добавляет товар в корзину и не уводит с этой страницы.
1 шт в наличии 50,41 ₽
Счёт/КП Закупка для юридических лиц До оплаты менеджер подтвердит цену, доступный остаток, фасовку и срок поставки именно для вашего объёма.
Юридические лица Безналичная оплата, договор и работа по реквизитам компании. Документы Счёт, УПД и комплект закрывающих документов к поставке. Доставка Условия и стоимость доставки согласуем до подтверждения заказа. Подтверждение условий Цена и остаток из каталога считаются подтверждёнными только после ответа менеджера.
Документация и схема Файлы в каталоге не найдены Документы пока не привязаны Запросим datasheet или схему у поставщика для этой позиции.
Запросить документацию
Характеристики 12 параметров из источника
Тип проводимости P
Описание MOSFET MOSFT DUAL PCh -20V 5.3A
Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 0.7 В
Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) ± 12 В
Мощность рассеиваемая (Pd) - 2 Вт
Вес брутто 0.23
Транспортная упаковка: размер/кол-во 59*46*46/4000
Упаковка REEL, 4000 шт.
Тип MOSFET
Корпус SOIC-8
Способ монтажа поверхностный (SMT)
Диапазон рабочих температур -55...+150 °С
Партии и фасовки Год / маркировку и доступность подтвердим перед заказом Год / маркировка Единиц в упаковке Упаковок Всего единиц
не указано 1 шт 1 1 шт
Сравнение текущего товара с предложенными аналогами Критичный параметр 5 критериев Параметрический вариант Infineon Technologies IRF7351TRPBF Арт. RU 122024 50,12 ₽ Совпадает 2 из 3 сравнимых параметров
Параметрический вариант Infineon Technologies IRF7303TRPBF Арт. RU 121678 39,42 ₽ Совпадает 2 из 3 сравнимых параметров
Параметрический вариант JSMSEMI IRF9Z34NS Арт. RU 125424 30,29 ₽ Совпадает 2 из 3 сравнимых параметров
Параметрический вариант Infineon Technologies IRF7342TRPBF Арт. RU 121677 40,66 ₽ Совпадает 2 из 4 сравнимых параметров
Тип проводимости P 2N 2N P 2P Корпус SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8 TO-263 (D2PAK) SOIC-8 Способ монтажа поверхностный (SMT) поверхностный (SMT) поверхностный (SMT) поверхностный (SMT) поверхностный (SMT) Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 0.7 В — — — пороговое затвора (Vgs th) - 1В Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) ± 12 В — — — —
Параметрический вариант Infineon Technologies IRF7351TRPBF Арт. RU 122024 50,12 ₽ Совпадает 2 из 3 сравнимых параметров
Тип проводимости Текущий P Аналог 2N Корпус Текущий SOIC-8 Аналог SOIC-8 Способ монтажа Текущий поверхностный (SMT) Аналог поверхностный (SMT) Напряжение Текущий пороговое затвора (Vgs th) - 0.7 В Аналог — Максимально допустимое напряжение Текущий затвор-исток (Vgs) ± 12 В Аналог — Открыть товар Параметрический вариант Infineon Technologies IRF7303TRPBF Арт. RU 121678 39,42 ₽ Совпадает 2 из 3 сравнимых параметров
Тип проводимости Текущий P Аналог 2N Корпус Текущий SOIC-8 Аналог SOIC-8 Способ монтажа Текущий поверхностный (SMT) Аналог поверхностный (SMT) Напряжение Текущий пороговое затвора (Vgs th) - 0.7 В Аналог — Максимально допустимое напряжение Текущий затвор-исток (Vgs) ± 12 В Аналог — Открыть товар Параметрический вариант JSMSEMI IRF9Z34NS Арт. RU 125424 30,29 ₽ Совпадает 2 из 3 сравнимых параметров
Тип проводимости Текущий P Аналог P Корпус Текущий SOIC-8 Аналог TO-263 (D2PAK) Способ монтажа Текущий поверхностный (SMT) Аналог поверхностный (SMT) Напряжение Текущий пороговое затвора (Vgs th) - 0.7 В Аналог — Максимально допустимое напряжение Текущий затвор-исток (Vgs) ± 12 В Аналог — Открыть товар Параметрический вариант Infineon Technologies IRF7342TRPBF Арт. RU 121677 40,66 ₽ Совпадает 2 из 4 сравнимых параметров
Тип проводимости Текущий P Аналог 2P Корпус Текущий SOIC-8 Аналог SOIC-8 Способ монтажа Текущий поверхностный (SMT) Аналог поверхностный (SMT) Напряжение Текущий пороговое затвора (Vgs th) - 0.7 В Аналог пороговое затвора (Vgs th) - 1В Максимально допустимое напряжение Текущий затвор-исток (Vgs) ± 12 В Аналог — Открыть товар Подбор основан на данных каталога и не означает полную взаимозаменяемость. Сверьте корпус, распиновку, рабочие режимы и datasheet перед заменой.
