С изолированным затвором (MOSFET) IPB107N20N3GATMA1, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 200В, 88A, 300Вт, корпус TO-263 (D2PAK) IPB107N20N3GATMA1, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 200В, 88A, 300Вт, корпус TO-263 (D2PAK)
MPN IPB107N20N3GATMA1 Копировать Артикул RU 113112 Копировать
Каталог обновлён 21.07.2026
Источник / остаток Каталог RU Electronics · 570 шт по данным каталога
Lead time Со склада после подтверждения
MOQ Уточняется при подтверждении
Кратность заказа Не задана в источнике
Фасовка 2 шт в упаковке
Date code / партия Год / маркировка: 2022 Увеличить Склад RU Electronics Собственное предложение В наличии Цена от 228,23 ₽ за шт с НДС
По каталогу: 570 шт Остаток требует подтверждения · обновлено 21.07.2026 Поставка Дату и доступный объём подтвердит менеджер Цены для объёма Градация RU Electronics
3 уровня Градация цены RU Electronics Условия Цена Выгода Базовая Для заказа со склада 268,51 ₽ за шт сейчас Оптовая Порог зафиксируем в КП 251,05 ₽ за шт −7% Проектная Для крупных и регулярных заказов 228,23 ₽ за шт −15%
Оптовый и проектный порог зафиксируем в КП для вашего объёма.
Рассчитать заказ по базовой цене
Итого по базовой цене 268,51 ₽
Заявка не добавляет товар в корзину и не уводит с этой страницы.
570 шт в наличии 268,51 ₽
Счёт/КП Закупка для юридических лиц До оплаты менеджер подтвердит цену, доступный остаток, фасовку и срок поставки именно для вашего объёма.
Юридические лица Безналичная оплата, договор и работа по реквизитам компании. Документы Счёт, УПД и комплект закрывающих документов к поставке. Доставка Условия и стоимость доставки согласуем до подтверждения заказа. Подтверждение условий Цена и остаток из каталога считаются подтверждёнными только после ответа менеджера.
Документация и схема Файлы в каталоге не найдены Документы пока не привязаны Запросим datasheet или схему у поставщика для этой позиции.
Запросить документацию
Характеристики 15 параметров из источника
Тип проводимости N
Максимальное напряжение сток-исток, В 200
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 9,6
Заряд затвора, нКл 65
Описание 200V, 88A N-Channel MOSFET
Максимальный ток коллектора (Iк max) - 88 А
Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 3В
Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) ± 20 В
Мощность рассеиваемая (Pd) - 300 Вт
Вес брутто 2.08
Упаковка REEL, 1000 шт.
Тип MOSFET
Корпус TO-263 (D2PAK)
Способ монтажа поверхностный (SMT)
Диапазон рабочих температур -55...+175 °С
Партии и фасовки Год / маркировку и доступность подтвердим перед заказом Год / маркировка Единиц в упаковке Упаковок Всего единиц
2022 2 шт 285 570 шт
Сравнение текущего товара с предложенными аналогами Критичный параметр 5 критериев Параметрический вариант Infineon Technologies IRFS38N20DTRLP Арт. RU 121657 156,28 ₽ Совпадает 4 из 5 сравнимых параметров
Параметрический вариант ST Microelectronics STB13N60M2 Арт. RU 119629 104,52 ₽ Совпадает 3 из 3 сравнимых параметров
Параметрический вариант ST Microelectronics STD20NF20 Арт. RU 123885 108,99 ₽ Совпадает 3 из 5 сравнимых параметров
Параметрический вариант JSMSEMI IRF3205S Арт. RU 120784 32,24 ₽ Совпадает 3 из 5 сравнимых параметров
Корпус TO-263 (D2PAK) TO-263 (D2PAK) TO-263 (D2PAK) TO-252 (DPAK) TO-263 (D2PAK) Способ монтажа поверхностный (SMT) поверхностный (SMT) поверхностный (SMT) поверхностный (SMT) поверхностный (SMT) Тип проводимости N N N N N Максимальное напряжение сток-исток, В 200 200 — 200 55 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 9,6 54 — 125 8
Параметрический вариант Infineon Technologies IRFS38N20DTRLP Арт. RU 121657 156,28 ₽ Совпадает 4 из 5 сравнимых параметров
Корпус Текущий TO-263 (D2PAK) Аналог TO-263 (D2PAK) Способ монтажа Текущий поверхностный (SMT) Аналог поверхностный (SMT) Тип проводимости Текущий N Аналог N Максимальное напряжение сток-исток, В Текущий 200 Аналог 200 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм Текущий 9,6 Аналог 54 Открыть товар Параметрический вариант ST Microelectronics STB13N60M2 Арт. RU 119629 104,52 ₽ Совпадает 3 из 3 сравнимых параметров
Корпус Текущий TO-263 (D2PAK) Аналог TO-263 (D2PAK) Способ монтажа Текущий поверхностный (SMT) Аналог поверхностный (SMT) Тип проводимости Текущий N Аналог N Максимальное напряжение сток-исток, В Текущий 200 Аналог — Минимальное сопротивление открытого канала, мОм Текущий 9,6 Аналог — Открыть товар Параметрический вариант ST Microelectronics STD20NF20 Арт. RU 123885 108,99 ₽ Совпадает 3 из 5 сравнимых параметров
Корпус Текущий TO-263 (D2PAK) Аналог TO-252 (DPAK) Способ монтажа Текущий поверхностный (SMT) Аналог поверхностный (SMT) Тип проводимости Текущий N Аналог N Максимальное напряжение сток-исток, В Текущий 200 Аналог 200 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм Текущий 9,6 Аналог 125 Открыть товар Параметрический вариант JSMSEMI IRF3205S Арт. RU 120784 32,24 ₽ Совпадает 3 из 5 сравнимых параметров
Корпус Текущий TO-263 (D2PAK) Аналог TO-263 (D2PAK) Способ монтажа Текущий поверхностный (SMT) Аналог поверхностный (SMT) Тип проводимости Текущий N Аналог N Максимальное напряжение сток-исток, В Текущий 200 Аналог 55 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм Текущий 9,6 Аналог 8 Открыть товар Подбор основан на данных каталога и не означает полную взаимозаменяемость. Сверьте корпус, распиновку, рабочие режимы и datasheet перед заменой.
