BAS40-04

Источник / остаток

Внешний склад · 425 шт. на внешнем складе

Lead time

Подтвердим по внешнему складу

MOQ

Уточняется при подтверждении

Кратность заказа

Не задана в источнике

Фасовка

Не указана в источнике

Date code / партия

Год / маркировка партии не указаны

Документация

Datasheet: 1

BAS40/-04/-05/-06 SCHOTTKY BARRIER DIODE FEATURES  Low Forward Voltage  Fast Switching  Surface Mount device  For General Purpose Switching Applications SOT-23... BAS40-04 / Hottech Главная Каталог Публикации Каталог Компания BAS40-04 Hottech BAS40/-04/-05/-06 SCHOTTKY BARRIER DIODE FEATURES  Low Forward Voltage  Fast Switching  Surface Mount device  For General Purpose Switching Applications SOT-23 MECHANICAL DATA  Case: SOT-23  Case Material: Molded Plastic. UL flammability  Classification Rating: 94V-0  Weight: 0.013 grams (approximate) BAS40:B1 BAS40-04:CB BAS40-05:45 BAS40-06:L2 MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless ot... развернуть ▼ свернуть ▲ Корпус: — Норма упаковки: 3000 шт. (в ленте) сравнитьтовар в списке сравнения Файлы 1 показать свернуть BAS40/-04/-05/-06 SCHOTTKY BARRIER DIODE FEATURES  Low Forward Voltage  Fast Switching  Surface Mount device  For General Purpose Switching Applications SOT-23 MECHANICAL DATA  Case: SOT-23  Case Material: Molded Plastic. UL flammability  Classification Rating: 94V-0  Weight: 0.013 grams (approximate) BAS40:B1 BAS40-04:CB BAS40-05:45 BAS40-06:L2 MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Unit Reverse Voltage Peak Repetitive Peak Reverse Voltage Working Peak Reverse Voltage VR VRRM VRWM 40 V Forward Continuous Current IF 200 mA Power Dissipation PD 200 mW Thermal Resistance From Junction To Ambient RθJA 500 °C/W Junction Temperature TJ 125 °C Storage Temperature TSTG -55 ~+150 °C ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise specified) Parameter Symbol V(BR) Reverse breakdown voltage IR Reverse voltage leakage current Forward voltage Diode capacitance Reverse recovery time © SHENZHEN HOTTECH ELECTRONICS CO.,LTD Min 40 Max 200 Unit V nA VF1 0.38 V VR=30V IF1=1 mA VF2 CD Trr 1 5 5 V pF nS IF2=40mA VR=0V,f=1MHz IF=IR=10mA Irr=0.1×IR IR=10uA E-mail:hkt@heketai.com Conditions RL=100Ω 1/4 PDF Документация на BAS40 Subject: Дата модификации: 14.01.2019 Размер: 644.1 Кб 4 стр. найти BAS40-04.pdf Публикации 1 показать свернуть 23 марта 2023 статья Диоды и диодные мосты SUNCO – рациональный выбор для любых приложений Константин Кузьминов (г. Заполярный) Китайская компания SUNCO занимается полным циклом производства полупроводников. Ее продукция отличается широким разнообразием и при этом соответствует мировым стандартам. Выпрямительные и сигнальные диоды,... ...читать Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя. Москва, Новохохловская ул., 23, стр.1 +7 (495) 995-0901 Санкт-Петербург +7 (812) 327-9404 Служба контроля качества Помощь по работе с сайтом Требования к браузеру Правовая информация Соответствует требованиям ISO 9001:2015 АО «КОМПЭЛ» © 1993-2026