IRLML5203TRPBF-VB

Источник / остаток

Внешний склад · 9 276 шт. на внешнем складе

Lead time

Подтвердим по внешнему складу

MOQ

Уточняется при подтверждении

Кратность заказа

Не задана в источнике

Фасовка

Не указана в источнике

Date code / партия

Год / маркировка партии не указаны

Документация

Datasheet: 1

IRLML5203TRPBF-VB www.VBsemi.com IRLML5203TRPBF-VB Datasheet P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY VDS (V) - 30 RDS(on) () Typ. ID (A)a 0.046 at... IRLML5203TRPBF-VB / VBSemi Главная Каталог Дискретные полупроводники Транзисторы и ключи FET транзисторы Публикации Каталог Компания IRLML5203TRPBF-VB VBSemi IRLML5203TRPBF-VB www.VBsemi.com IRLML5203TRPBF-VB Datasheet P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY VDS (V) - 30 RDS(on) () Typ. ID (A)a 0.046 at VGS = - 10 V - 5.6 0.049 at VGS = - 6 V -5 0.054 at VGS = - 4.5 V -4.5 • TrenchFET® Power MOSFET • 100 % Rg Tested Qg (Typ.) 11.4 nC APPLICATIONS • For Mobile Computing - Load Switch - Notebook Adaptor Switch - DC/DC Con... развернуть ▼ свернуть ▲ Группа: FET транзисторы Корпус: SOT-23-3 Норма упаковки: 3000 шт. (в ленте) сравнитьтовар в списке сравнения Технические характеристики показать свернуть Корпус SOT-23-3 Конфигурация и полярность Максимальное напряжение сток-исток Ток стока номинальный при 25°C Сопротивление открытого канала (мин) Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) Рассеиваемая мощность Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER Файлы 1 показать свернуть IRLML5203TRPBF-VB www.VBsemi.com IRLML5203TRPBF-VB Datasheet P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY VDS (V) - 30 RDS(on) () Typ. ID (A)a 0.046 at VGS = - 10 V - 5.6 0.049 at VGS = - 6 V -5 0.054 at VGS = - 4.5 V -4.5 • TrenchFET® Power MOSFET • 100 % Rg Tested Qg (Typ.) 11.4 nC APPLICATIONS • For Mobile Computing - Load Switch - Notebook Adaptor Switch - DC/DC Converter S (SOT-23) TO-236 G G 1 3 S D 2 D Top View P-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C, unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Drain-Source Voltage VDS - 30 Gate-Source Voltage VGS ± 20 TC = 70 °C - 5.1 ID TA = 25 °C - 5.4b,c - 4.3b,c TA = 70 °C Pulsed Drain Current (t = 100 μs) Continous Source-Drain Diode Current Maximum Power Dissipation IDM TC = 25 °C - 2.1 - 1b,c TC = 25 °C 2.5 TC = 70 °C 1.6 PD TA = 25 °C A - 18 IS TA = 25 °C W 1.25b,c 0.8b,c TA = 70 °C Operating Junction and Storage Temperature Range V - 5.6 TC = 25 °C Continuous Drain Current (TJ = 150 °C) Unit TJ, Tstg °C - 55 to 150 THERMAL RESISTANCE RATINGS Symbol Typical Maximum t5s RthJA 75 100 Steady State RthJF 40 50 Parameter b,d Maximum Junction-to-Ambient Maximum Junction-to-Foot (Drain) Unit °C/W Notes: a. Based on TC = 25 °C. b. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board. c. t = 5 s. d. Maximum under steady state conditions is 166 °C/W. 1 PDF Документация на IRLML5203TRPBF-VB Дата модификации: 13.03.2024 Размер: 201.9 Кб 9 стр. найти IRLML5203TRPBF-VB.pdf Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя. C3M0120090D (CREE PWR) SCQ065G15H (SUNCO) Москва, Новохохловская ул., 23, стр.1 +7 (495) 995-0901 Санкт-Петербург +7 (812) 327-9404 Служба контроля качества Помощь по работе с сайтом Требования к браузеру Правовая информация Соответствует требованиям ISO 9001:2015 АО «КОМПЭЛ» © 1993-2026