IRLML6402TRPBF-VB

Источник / остаток

Внешний склад · 7 779 шт. на внешнем складе

Lead time

Подтвердим по внешнему складу

MOQ

Уточняется при подтверждении

Кратность заказа

Не задана в источнике

Фасовка

Не указана в источнике

Date code / партия

Год / маркировка партии не указаны

Документация

Datasheet: 1

IRLML6402TRPBF-VB www.VBsemi.com IRLML6402TRPBF-VB Datasheet P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES MOSFET PRODUCT SUMMARY VDS (V) - 20 RDS(on) () ID (A)a 0.060... IRLML6402TRPBF-VB / VBSemi Главная Каталог Дискретные полупроводники Транзисторы и ключи FET транзисторы Публикации Каталог Компания IRLML6402TRPBF-VB VBSemi IRLML6402TRPBF-VB www.VBsemi.com IRLML6402TRPBF-VB Datasheet P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES MOSFET PRODUCT SUMMARY VDS (V) - 20 RDS(on) () ID (A)a 0.060 at VGS = - 10 V - 4.0 0.065 at VGS = - 4.5 V - 3.5 0.080 at VGS = - 2.5 V - 2.0 Qg (Typ.) 10 nC • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 % Rg Tested • Compliant to RoHS Directive ... развернуть ▼ свернуть ▲ Группа: FET транзисторы Корпус: SOT-23-3 Норма упаковки: 3000 шт. (в ленте) сравнитьтовар в списке сравнения Технические характеристики показать свернуть Корпус SOT-23-3 Конфигурация и полярность Максимальное напряжение сток-исток Ток стока номинальный при 25°C Сопротивление открытого канала (мин) Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) Рассеиваемая мощность Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER Файлы 1 показать свернуть IRLML6402TRPBF-VB www.VBsemi.com IRLML6402TRPBF-VB Datasheet P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES MOSFET PRODUCT SUMMARY VDS (V) - 20 RDS(on) () ID (A)a 0.060 at VGS = - 10 V - 4.0 0.065 at VGS = - 4.5 V - 3.5 0.080 at VGS = - 2.5 V - 2.0 Qg (Typ.) 10 nC • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 % Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Load Switch • PA Switch • DC/DC Converters TO-236 (SOT-23) G 1 3 S D 2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C, unless otherwise noted) Symbol VDS VGS Parameter Drain-Source Voltage Gate-Source Voltage Continuous Drain Current (TJ = 150 °C) TC = 25 °C TC = 70 °C TA = 25 °C TA = 70 °C Maximum Power Dissipation TC = 25 °C TA = 25 °C TC = 25 °C TC = 70 °C TA = 25 °C TA = 70 °C -4 -3.2 - 3 .5b, c - 2 .5b, c - 10 - 2.1 - 1.0b, c 2.5 1.6 1.25b, c 0.8b, c - 55 to 150 ID IS PD TJ, Tstg Operating Junction and Storage Temperature Range Unit V e IDM Pulsed Drain Current Continuous Source-Drain Diode Current Limit - 20 ± 12 A W °C THERMAL RESISTANCE RATINGS Parameter 5 s Maximum Junction-to-Ambientb, d Steady State Maximum Junction-to-Foot (Drain) Notes: a. Based on TC = 25 °C. b. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board. c. t = 5 s. d. Maximum under steady state conditions is 166 °C/W. e. Package limited. Symbol RthJA RthJF Typical 75 40 Maximum 100 50 Unit °C/W 1 PDF Документация на IRLML6402TRPBF-VB Дата модификации: 13.03.2024 Размер: 205.2 Кб 9 стр. найти IRLML6402TRPBF-VB.pdf Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя. C3M0120090D (CREE PWR) SCQ065G15H (SUNCO) Москва, Новохохловская ул., 23, стр.1 +7 (495) 995-0901 Санкт-Петербург +7 (812) 327-9404 Служба контроля качества Помощь по работе с сайтом Требования к браузеру Правовая информация Соответствует требованиям ISO 9001:2015 АО «КОМПЭЛ» © 1993-2026