BSS84KJ

Источник / остаток

Внешний склад · 7 668 шт. на внешнем складе

Lead time

Подтвердим по внешнему складу

MOQ

Уточняется при подтверждении

Кратность заказа

Не задана в источнике

Фасовка

Не указана в источнике

Date code / партия

Год / маркировка партии не указаны

Документация

Datasheet: 1

RoHS BSS84KJ COMPLIANT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS -60 V ● ID -0.3 A ● RDS(ON)( at VGS=-10V) <3 Ω ● RDS(ON)( at... BSS84KJ / Yangjie Главная Каталог Дискретные полупроводники Транзисторы и ключи FET транзисторы Публикации Каталог Компания BSS84KJ Yangjie RoHS BSS84KJ COMPLIANT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS -60 V ● ID -0.3 A ● RDS(ON)( at VGS=-10V) <3 Ω ● RDS(ON)( at VGS=-4.5V) <3.5 Ω ● Gate-Source ESD Rating Up to 2KV (HBM) General Description ● Operated at Low Logic Level Gate Drive ● P-Channel Switch with Low RDS(on) ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Moisture Sensitivity Level 1 ● H... развернуть ▼ свернуть ▲ Группа: FET транзисторы Корпус: SOT-23-3 Норма упаковки: 3000 шт. (в ленте) сравнитьтовар в списке сравнения Технические характеристики показать свернуть Корпус SOT-23-3 Конфигурация и полярность Максимальное напряжение сток-исток Ток стока номинальный при 25°C Сопротивление открытого канала (мин) Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) Диапазон номинальных напряжений затвора Заряд затвора Рассеиваемая мощность Ёмкость затвора Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER