BSS139-VB

Источник / остаток

Внешний склад · 2 976 шт. на внешнем складе

Lead time

Подтвердим по внешнему складу

MOQ

Уточняется при подтверждении

Кратность заказа

Не задана в источнике

Фасовка

Не указана в источнике

Date code / партия

Год / маркировка партии не указаны

Документация

Datasheet: 1

BSS139 www.VBsemi.com N-Channel 200 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY VDS (V) 200 RDS(on) () ID (A) 1.4 at V GS = 10 V 0.6 • Halogen-free According to... BSS139-VB / VBSemi Главная Каталог Дискретные полупроводники Транзисторы и ключи FET транзисторы Публикации Каталог Компания BSS139-VB VBSemi BSS139 www.VBsemi.com N-Channel 200 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY VDS (V) 200 RDS(on) () ID (A) 1.4 at V GS = 10 V 0.6 • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • 100 % Rg and UIS Tested • TrenchFET® Power MOSFET • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC D TO-236 (SOT-23) G 1 G 3 S D 2 S Top View N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C, unles... развернуть ▼ свернуть ▲ Группа: FET транзисторы Корпус: — Норма упаковки: 3000 шт. (в ленте) сравнитьтовар в списке сравнения Технические характеристики показать свернуть Конфигурация и полярность Максимальное напряжение сток-исток Ток стока номинальный при 25°C Сопротивление открытого канала (мин) Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) Диапазон номинальных напряжений затвора Максимальное напряжение затвора Заряд затвора Рассеиваемая мощность Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER Файлы 1 показать свернуть BSS139 www.VBsemi.com N-Channel 200 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY VDS (V) 200 RDS(on) () ID (A) 1.4 at V GS = 10 V 0.6 • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • 100 % Rg and UIS Tested • TrenchFET® Power MOSFET • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC D TO-236 (SOT-23) G 1 G 3 S D 2 S Top View N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C, unless otherwise noted) Parameter Symbol 5s Steady State Drain-Source Voltage VDS 200 Gate-Source Voltage VGS ± 20 Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)a TA = 25 °C TA = 70 °C Pulsed Drain Currentb Avalanche Currentb Single Avalanche Energy L = 0.1 mH Continuous Source Current (Diode Conduction)a Power Dissipationa TA = 25 °C TA = 70 °C ID 0.45 0.5 0.35 2.5 IAS 2.5 EAS 50 IS 0.6 A mJ A 1.55 1.03 1.20 0.87 TJ, Tstg Operating Junction and Storage Temperature Range V 0.6 IDM PD Unit - 55 to 150 W °C THERMAL RESISTANCE RATINGS Parameter Maximum Junction-to-Ambienta Maximum Junction-to-Foot Symbol t5s Steady State Steady State RthJA RthJF Typical Maximum 80 100 130 170 45 55 Unit °C/W Notes: a. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board. b. Pulse width limited by maximum junction temperature. 1 PDF Документация на BSS139 VB1201K.pdf Keywords: Дата модификации: 08.02.2023 Размер: 241.7 Кб 7 стр. найти BSS139-VB.pdf Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя. C3M0120090D (CREE PWR) SCQ065G15H (SUNCO) Москва, Новохохловская ул., 23, стр.1 +7 (495) 995-0901 Санкт-Петербург +7 (812) 327-9404 Служба контроля качества Помощь по работе с сайтом Требования к браузеру Правовая информация Соответствует требованиям ISO 9001:2015 АО «КОМПЭЛ» © 1993-2026