WMS11P02TS

Источник / остаток

Внешний склад · 3 500 шт. на внешнем складе

Lead time

Подтвердим по внешнему складу

MOQ

Уточняется при подтверждении

Кратность заказа

Не задана в источнике

Фасовка

Не указана в источнике

Date code / партия

Год / маркировка партии не указаны

Документация

Datasheet: 1

WMS11P02TS 20V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D WMS11P02TS uses advanced power trench technology that has been D D D especially tailored to... WMS11P02TS / WAYON Главная Каталог Дискретные полупроводники Транзисторы и ключи FET транзисторы Публикации Каталог Компания WMS11P02TS WAYON WMS11P02TS 20V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D WMS11P02TS uses advanced power trench technology that has been D D D especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. S Features  S S G SOP-8L VDS= -20V, ID = -11A RDS(on) < 13.5mΩ @ VGS = -4.5V RDS(on) < 17mΩ @ VGS = -2.5V  Green Device Available ... развернуть ▼ свернуть ▲ Группа: FET транзисторы Корпус: — Норма упаковки: 3500 шт. (в ленте) сравнитьтовар в списке сравнения Технические характеристики показать свернуть Конфигурация и полярность Максимальное напряжение сток-исток Ток стока номинальный при 25°C Сопротивление открытого канала (мин) Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) Заряд затвора Рассеиваемая мощность Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER Файлы 1 показать свернуть WMS11P02TS 20V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D WMS11P02TS uses advanced power trench technology that has been D D D especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. S Features  S S G SOP-8L VDS= -20V, ID = -11A RDS(on) < 13.5mΩ @ VGS = -4.5V RDS(on) < 17mΩ @ VGS = -2.5V  Green Device Available  Low Gate Charge  Advanced High Cell Density Trench Technology  100% EAS Guaranteed RoHS compliant Applications D G  Power Management Switches  DC/DC Converter S Absolute Maximum Ratings (TA = 25°C, unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS -20 V Gate-Source Voltage VGS ±10 V TA =25°C -11 ID Continuous Drain Current TA =100°C Pulsed Drain Current1 Single Pulse Avalanche Energy2 Total Power Dissipation TA =25°C Operating Junction and Storage Temperature Range A -7 IDM -44 A EAS 31.25 mJ PD 3 W TJ, TSTG -55 to 150 °C Thermal Characteristics Parameter Thermal Resistance from Junction-to-Ambient3 Rev.1.0, 2022 Symbol Value Unit RθJA 41.6 °C/W Doc:W0803772 1/7 PDF Документация на WMS11P02TS Shang Hai Wayon Thermo-Electro Дата модификации: 04.12.2023 Размер: 771.8 Кб 7 стр. найти WMS11P02TS.pdf Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя. C3M0120090D (CREE PWR) SCQ065G15H (SUNCO) Москва, Новохохловская ул., 23, стр.1 +7 (495) 995-0901 Санкт-Петербург +7 (812) 327-9404 Служба контроля качества Помощь по работе с сайтом Требования к браузеру Правовая информация Соответствует требованиям ISO 9001:2015 АО «КОМПЭЛ» © 1993-2026