WMQ12P10TS

Источник / остаток

Внешний склад · 2 073 шт. на внешнем складе

Lead time

Подтвердим по внешнему складу

MOQ

Уточняется при подтверждении

Кратность заказа

Не задана в источнике

Фасовка

Не указана в источнике

Date code / партия

Год / маркировка партии не указаны

Документация

Datasheet: 1

WMQ12P10TS 100V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMQ12P10TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the... WMQ12P10TS / WAYON Главная Каталог Дискретные полупроводники Транзисторы и ключи FET транзисторы Публикации Каталог Компания WMQ12P10TS WAYON WMQ12P10TS 100V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMQ12P10TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and D D D D D yet maintain superior switching performance. Features  S S S D D D G G S PDFN3030-8L VDS = -100V, ID = -12A RDS(on) < 100mΩ @ VGS = -10V RDS(on) < 120mΩ @ VGS = -4.5V  Ex... развернуть ▼ свернуть ▲ Группа: FET транзисторы Корпус: — Норма упаковки: 3000 шт. (в ленте) сравнитьтовар в списке сравнения Технические характеристики показать свернуть Конфигурация и полярность Максимальное напряжение сток-исток Ток стока номинальный при 25°C Сопротивление открытого канала (мин) Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) Заряд затвора Рассеиваемая мощность Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER Файлы 1 показать свернуть WMQ12P10TS 100V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMQ12P10TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and D D D D D yet maintain superior switching performance. Features  S S S D D D G G S PDFN3030-8L VDS = -100V, ID = -12A RDS(on) < 100mΩ @ VGS = -10V RDS(on) < 120mΩ @ VGS = -4.5V  Extremely Low Switching Loss  Excellent Stability and Uniformity  Low Gate Charge  100% EAS Guaranteed RoHS D compliant Applications G  Power Management Switches  DC/DC Converter S Absolute Maximum Ratings (TA = 25°C, unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS -100 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V TC= 25°C -12 ID Continuous Drain Current TC= 100°C Pulsed Drain Current1 Single Pulse Avalanche Energy2 Total Power Dissipation TC= 25°C A -7.6 IDM -48 A EAS 80 mJ PD 30 W TJ, TSTG -55 to 150 Symbol Value Unit Thermal Resistance from Junction-to-Ambient3 RθJA 55 °C/W Thermal Resistance from Junction-to-Case RθJC 4.16 °C/W Operating Junction and Storage Temperature Range °C Thermal Characteristics Parameter Rev.1.0, 2022 Doc: W0803717 1/7 S S PDF Документация на WMQ12P10TS Shang Hai Wayon Thermo-Electro Keywords: Дата модификации: 15.09.2023 Размер: 607.6 Кб 7 стр. найти WMQ12P10TS.pdf Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя. C3M0120090D (CREE PWR) SCQ065G15H (SUNCO) Москва, Новохохловская ул., 23, стр.1 +7 (495) 995-0901 Санкт-Петербург +7 (812) 327-9404 Служба контроля качества Помощь по работе с сайтом Требования к браузеру Правовая информация Соответствует требованиям ISO 9001:2015 АО «КОМПЭЛ» © 1993-2026