WMB60P02TS

Источник / остаток

Внешний склад · 2 895 шт. на внешнем складе

Lead time

Подтвердим по внешнему складу

MOQ

Уточняется при подтверждении

Кратность заказа

Не задана в источнике

Фасовка

Не указана в источнике

Date code / партия

Год / маркировка партии не указаны

Документация

Datasheet: 1

WMB60P02TS 20V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMB60P02TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the... WMB60P02TS / WAYON Главная Каталог Дискретные полупроводники Транзисторы и ключи FET транзисторы Публикации Каталог Компания WMB60P02TS WAYON WMB60P02TS 20V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMB60P02TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet D D D D D maintain superior switching performance. s ss Features  D DD G G ss PDFN5060-8L VDS= -20V, ID = -60A RDS(on) < 7.8mΩ@ VGS = -4.5V RDS(on) < 10mΩ @ VGS = -2.5V  Green Devi... развернуть ▼ свернуть ▲ Группа: FET транзисторы Корпус: — Норма упаковки: 3000 шт. (в ленте) сравнитьтовар в списке сравнения Технические характеристики показать свернуть Конфигурация и полярность Максимальное напряжение сток-исток Ток стока номинальный при 25°C Сопротивление открытого канала (мин) Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) Заряд затвора Рассеиваемая мощность Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER Файлы 1 показать свернуть WMB60P02TS 20V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMB60P02TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet D D D D D maintain superior switching performance. s ss Features  D DD G G ss PDFN5060-8L VDS= -20V, ID = -60A RDS(on) < 7.8mΩ@ VGS = -4.5V RDS(on) < 10mΩ @ VGS = -2.5V  Green Device Available  Low Gate Charge  Advanced High Cell Density Trench Technology  100% EAS Guaranteed RoHS compliant Applications D G  Power Management Switches  DC/DC Converter S Absolute Maximum Ratings (TA = 25°C, unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS -20 V Gate-Source Voltage VGS ±10 V -60 TC=25°C ID Continuous Drain Current TC=100°C A -38 IDM -240 A EAS 80 mJ PD 41.9 W TJ, TSTG -55 to 150 °C Symbol Value Unit Thermal Resistance from Junction-to-Ambient3 RθJA 65 °C/W Thermal Resistance from Junction-to-Case RθJC 2.98 °C/W Pulsed Drain Current1 Single Pulse Avalanche Energy2 Total Power Dissipation TC=25°C Operating Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristics Parameter Rev.1.0, 2023 Doc:W0803707 1/7 s PDF Документация на WMB60P02TS Shang Hai Wayon Thermo-Electro Дата модификации: 11.04.2023 Размер: 617.8 Кб 7 стр. найти WMB60P02TS.pdf Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя. C3M0120090D (CREE PWR) SCQ065G15H (SUNCO) Москва, Новохохловская ул., 23, стр.1 +7 (495) 995-0901 Санкт-Петербург +7 (812) 327-9404 Служба контроля качества Помощь по работе с сайтом Требования к браузеру Правовая информация Соответствует требованиям ISO 9001:2015 АО «КОМПЭЛ» © 1993-2026