SI4401DDY-T1-GE3

Источник / остаток

Внешний склад · 6 209 шт. на внешнем складе

Lead time

Подтвердим по внешнему складу

MOQ

Уточняется при подтверждении

Кратность заказа

Не задана в источнике

Фасовка

Не указана в источнике

Date code / партия

Год / маркировка партии не указаны

Документация

Datasheet: 1

SI4401DDY-T1-GE3 www.VBsemi.tw P-Channel 40 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY RDS(on) () ID (A)a 0.010 at VGS = - 10 V - 16.1 0.014 at VGS = - 4.5 V -... SI4401DDY-T1-GE3 / VBSemi Главная Каталог Дискретные полупроводники Транзисторы и ключи FET транзисторы Публикации Каталог Компания SI4401DDY-T1-GE3 VBSemi SI4401DDY-T1-GE3 www.VBsemi.tw P-Channel 40 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY RDS(on) () ID (A)a 0.010 at VGS = - 10 V - 16.1 0.014 at VGS = - 4.5 V - 13.3 VDS (V) - 40 • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition Qg (Typ.) • 100 % Rg Tested • 100 % UIS Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 33 nC APPLICATIONS • Load Switch • POL S SO-8 S 1 8 D S 2 ... развернуть ▼ свернуть ▲ Группа: FET транзисторы Корпус: — Норма упаковки: 4000 шт. (в ленте) сравнитьтовар в списке сравнения Технические характеристики показать свернуть Конфигурация и полярность Максимальное напряжение сток-исток Ток стока номинальный при 25°C Сопротивление открытого канала (мин) Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) Диапазон номинальных напряжений затвора Максимальное напряжение затвора Заряд затвора Рассеиваемая мощность Ёмкость затвора Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER Файлы 1 показать свернуть SI4401DDY-T1-GE3 www.VBsemi.tw P-Channel 40 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY RDS(on) () ID (A)a 0.010 at VGS = - 10 V - 16.1 0.014 at VGS = - 4.5 V - 13.3 VDS (V) - 40 • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition Qg (Typ.) • 100 % Rg Tested • 100 % UIS Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 33 nC APPLICATIONS • Load Switch • POL S SO-8 S 1 8 D S 2 7 D S 3 6 D G 4 5 D G D P-Channel MOSFET Top View ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 °C, unless otherwise noted Parameter Symbol Limit Drain-Source Voltage VDS - 40 Gate-Source Voltage VGS ± 20 TC = 25 °C Continuous Drain Current (TJ = 150 °C) - 12.9 ID TA = 25 °C - 10.2b, c - 8.2b, c Pulsed Drain Current IDM Single Pulse Avalanche Current Single Pulse Avalanche Energy TC = 25 °C - 5.3 - 2.1b, c IAS - 28 EAS 6.3 TC = 70 °C 4 PD TA = 25 °C W 2.5b, c 1.6b, c TA = 70 °C Operating Junction and Storage Temperature Range mJ 39 TC = 25 °C Maximum Power Dissipation A - 50 IS TA = 25 °C L = 0.1 mH V - 16.1 TC = 70 °C TA = 70 °C Continous Source-Drain Diode Current Unit TJ, Tstg °C - 55 to 150 THERMAL RESISTANCE RATINGS Parameter b, d Maximum Junction-to-Ambient t  10 s Steady State Maximum Junction-to-Foot (Drain) Notes: a. Based on TC = 25 °C. b. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board. c. t = 10 s. d. Maximum under steady state conditions is 85 °C/W. E-mail:China@VBsemi TEL:86-755-83251052 Symbol Typical Maximum RthJA 37 50 RthJF 16 20 Unit °C/W 1 PDF Документация на SI4401DDY-T1-GE3 Дата модификации: 09.05.2020 Размер: 827.5 Кб 9 стр. найти SI4401DDY-T1-GE3.pdf Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя. C3M0120090D (CREE PWR) SCQ065G15H (SUNCO) Москва, Новохохловская ул., 23, стр.1 +7 (495) 995-0901 Санкт-Петербург +7 (812) 327-9404 Служба контроля качества Помощь по работе с сайтом Требования к браузеру Правовая информация Соответствует требованиям ISO 9001:2015 АО «КОМПЭЛ» © 1993-2026