FDD5614P

Источник / остаток

Внешний склад · 322 шт. на внешнем складе

Lead time

Подтвердим по внешнему складу

MOQ

Уточняется при подтверждении

Кратность заказа

Не задана в источнике

Фасовка

Не указана в источнике

Date code / партия

Год / маркировка партии не указаны

Документация

Datasheet: 1

FDD5614P www.VBsemi.tw P-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY VDS (V) - 60 RDS(on) (Ω) ID (A) 0.061 at V GS = - 10 V - 30 0.072 at VGS = - 4.5 V... FDD5614P / VBSemi Главная Каталог Дискретные полупроводники Транзисторы и ключи FET транзисторы Публикации Каталог Компания FDD5614P VBSemi FDD5614P www.VBsemi.tw P-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY VDS (V) - 60 RDS(on) (Ω) ID (A) 0.061 at V GS = - 10 V - 30 0.072 at VGS = - 4.5 V - 26 • TrenchFET® Power MOSFET • 100 % UIS Tested Qg (Typ) APPLICATIONS 10 • Load Switch S TO-252 G G D S Top View D P-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 °C, unless otherwise noted Parameter Gate-Source ... развернуть ▼ свернуть ▲ Группа: FET транзисторы Истор. имя: FDD5614P (ONS-FAIR) Корпус: — Норма упаковки: 2500 шт. (в ленте) сравнитьтовар в списке сравнения Технические характеристики показать свернуть Конфигурация и полярность Максимальное напряжение сток-исток Ток стока номинальный при 25°C Сопротивление открытого канала (мин) Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) Диапазон номинальных напряжений затвора Максимальное напряжение затвора Заряд затвора Рассеиваемая мощность Ёмкость затвора Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER Файлы 1 показать свернуть FDD5614P www.VBsemi.tw P-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY VDS (V) - 60 RDS(on) (Ω) ID (A) 0.061 at V GS = - 10 V - 30 0.072 at VGS = - 4.5 V - 26 • TrenchFET® Power MOSFET • 100 % UIS Tested Qg (Typ) APPLICATIONS 10 • Load Switch S TO-252 G G D S Top View D P-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 °C, unless otherwise noted Parameter Gate-Source Voltage Continuous Drain Current (TJ = 175 °C) TC = 25 °C TC = 100 °C Symbol Limit Unit VGS ± 20 V - 30 ID - 25 IDM - 50 Continuing Source Current (Diode Conduction) IS - 20 Avalanche Current IAS - 20 Pulsed Drain Current Single Pulse Avalanche Energy Maximum Power Dissipation L = 0.1 mH TC = 25 °C TA = 25 °C EAS 7.2 mJ 34a PD W 4b TJ, Tstg Operating Junction and Storage Temperature Range A - 55 to 175 °C THERMAL RESISTANCE RATINGS Parameter Junction-to-Ambientb Junction-to-Case Symbol t ≤ 10 sec Steady State RthJA RthJC Typical Maximum 20 25 62 75 5 6 Unit °C/W Notes: a. See SOA curve for voltage derating. b. Surface Mounted on 1" x 1" FR-4 boad. E-mail:China@VBsemi TEL:86-755-83251052 1 PDF Документация на FDD5614P Subject: Дата модификации: 18.10.2023 Размер: 769 Кб 8 стр. найти FDD5614P.pdf Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя. C3M0120090D (CREE PWR) SCQ065G15H (SUNCO) Москва, Новохохловская ул., 23, стр.1 +7 (495) 995-0901 Санкт-Петербург +7 (812) 327-9404 Служба контроля качества Помощь по работе с сайтом Требования к браузеру Правовая информация Соответствует требованиям ISO 9001:2015 АО «КОМПЭЛ» © 1993-2026