FDT434P

Источник / остаток

Внешний склад · 27 шт. на внешнем складе

Lead time

Подтвердим по внешнему складу

MOQ

Уточняется при подтверждении

Кратность заказа

Не задана в источнике

Фасовка

Не указана в источнике

Date code / партия

Год / маркировка партии не указаны

Документация

Datasheet: 1

FDT434P www.VBsemi.com P-Channel 35 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY RDS(on) () ID (A)d 0.040 at VGS = - 10 V - 6.2 0.048 at VGS = - 4.5 V - 5.1 VDS... FDT434P / VBSemi Главная Каталог Дискретные полупроводники Транзисторы и ключи FET транзисторы Публикации Каталог Компания FDT434P VBSemi FDT434P www.VBsemi.com P-Channel 35 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY RDS(on) () ID (A)d 0.040 at VGS = - 10 V - 6.2 0.048 at VGS = - 4.5 V - 5.1 VDS (V) - 35 • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 % Rg Tested • 100 % UIS Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC Qg (Typ.) 9.8 nC S APPLICATIONS • Load Switches, Adaptor Swi... развернуть ▼ свернуть ▲ Группа: FET транзисторы Истор. имя: FDT434P (ONS-FAIR) Корпус: — Норма упаковки: 2500 шт. (в ленте) сравнитьтовар в списке сравнения Технические характеристики показать свернуть Конфигурация и полярность Максимальное напряжение сток-исток Ток стока номинальный при 25°C Сопротивление открытого канала (мин) Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) Диапазон номинальных напряжений затвора Максимальное напряжение затвора Заряд затвора Рассеиваемая мощность Ёмкость затвора Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER