2N5401

Источник / остаток

Внешний склад · 12 882 шт. на внешнем складе

Lead time

Подтвердим по внешнему складу

MOQ

Уточняется при подтверждении

Кратность заказа

Не задана в источнике

Фасовка

Не указана в источнике

Date code / партия

Год / маркировка партии не указаны

Документация

Datasheet: 1

Биполярный транзистор - , цена, описание, сравнение аналогов, статьи 2N5401 / DC Components Главная Каталог Дискретные полупроводники Транзисторы и ключи Биполярный транзистор Публикации Каталог Компания 2N5401 DC Components Биполярный транзистор - развернуть ▼ свернуть ▲ Группа: Биполярный транзистор Истор. имя: 2N5401 (ONS-FAIR) Корпус: TO-92-3 Норма упаковки: 4000 шт. сравнитьтовар в списке сравнения Технические характеристики показать свернуть Корпус TO-92-3 Тип проводимости и конфигурация Рассеиваемая мощность Напряжение КЭ максимальное Напряжение падения КЭ в открытом состоянии Ток коллектора Граничная рабочая частота Коэффициент усиления по току Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER Файлы 1 показать свернуть DC COMPONENTS CO., LTD. 2N5401 DISCRETE SEMICONDUCTORS R TECHNICAL SPECIFICATIONS OF PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Designed for general purpose amplifier applications. TO-92 Pinning .190(4.83) .170(4.33) 1 = Emitter 2 = Base 3 = Collector o 2 Typ .190(4.83) .170(4.33) o 2 Typ .500 Min (12.70) Absolute Maximum Ratings(TA=25oC) Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage Characteristic VCBO -160 V Collector-Emitter Voltage VCEO -150 V Emitter-Base Voltage VEBO -5 V Collector Current IC -600 mA Total Power Dissipation PD 625 mW Junction Temperature TJ +150 o Storage Temperature TSTG -55 to +150 o .022(0.56) .014(0.36) .050 Typ (1.27) .022(0.56) .014(0.36) .100 Typ (2.54) .148(3.76) .132(3.36) 3 2 1 .050 o o 5 Typ. 5 Typ. (1.27) Typ C Dimensions in inches and (millimeters) C Electrical Characteristics o (Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified) Characteristic Symbol Min Typ Max Unit Test Conditions Collector-Base Breakdown Volatge BVCBO -160 - - V IC=-100μA, IE=0 Collector-Emitter Breakdown Voltage BVCEO -150 - - V IC=-1mA, IB=0 Emitter-Base Breakdown Volatge BVEBO -5 - - V IE=-10μA, IC=0 Collector Cutoff Current ICBO - - -50 nA VCB=-120V, IE=0 Emitter Cutoff Current IEBO - - -50 nA VEB=-3V, IC=0 Collector-Emitter Saturation Voltage Base-Emitter Saturation Voltage DC Current Gain (1) (1) (1) VCE(sat)1 - - -0.2 V IC=-10mA, IB=-1mA VCE(sat)2 - - -0.5 V IC=-50mA, IB=-5mA VBE(sat)1 - - -1 V IC=-10mA, IB=-1mA VBE(sat)2 - - -1 V IC=-50mA, IB=-5mA hFE1 50 - - - IC=-1mA, VCE=-5V hFE2 80 - 400 - IC=-10mA, VCE=-5V hFE3 50 - - - IC=-50mA, VCE=-5V Transition Frequency fT 100 - 300 MHz Output Capacitance Cob - - 6 pF (1)Pulse Test: Pulse Width 380μs, Duty Cycle 2% Classification of hFE2 Rank A B C Range 80~200 100~240 160~400 IC=-10mA, VCE=-10V, f=100MHz VCB=-10V, f=1MHz, IE=0 PDF Документация на 2N5401 Дата модификации: 22.03.2023 Размер: 211.2 Кб 1 стр. найти 2N5401.pdf Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя. 2N3904 (DC) 2N4401 (JSCJ) Москва, Новохохловская ул., 23, стр.1 +7 (495) 995-0901 Санкт-Петербург +7 (812) 327-9404 Служба контроля качества Помощь по работе с сайтом Требования к браузеру Правовая информация Соответствует требованиям ISO 9001:2015 АО «КОМПЭЛ» © 1993-2026