MMBF170

Источник / остаток

Внешний склад · 170 шт. на внешнем складе

Lead time

Подтвердим по внешнему складу

MOQ

Уточняется при подтверждении

Кратность заказа

Не задана в источнике

Фасовка

Не указана в источнике

Date code / партия

Год / маркировка партии не указаны

Документация

Datasheet: 1

Транзистор полевой N-канальный; 60 В; 500 мА; -55...150 °C; SOT23-3; Корпус: SOT23-3; Полярность: N; Напряжение пробоя сток-исток: 60 В; Ток стока: 500 мA; Rds(on): 3... MMBF170 / Shikues Главная Каталог Дискретные полупроводники Транзисторы и ключи FET транзисторы Публикации Каталог Компания MMBF170 Shikues Транзистор полевой N-канальный; 60 В; 500 мА; -55...150 °C; SOT23-3; Корпус: SOT23-3; Полярность: N; Напряжение пробоя сток-исток: 60 В; Ток стока: 500 мA; Rds(on): 3 Ом; Мощность рассеивания: 0.83 Вт; Рабочая температура TJ: -55...+150 °C развернуть ▼ свернуть ▲ Группа: FET транзисторы Истор. имя: MMBF170 (ONS-FAIR) Корпус: SOT-23-3 Норма упаковки: 3000 шт. (в ленте) сравнитьтовар в списке сравнения Технические характеристики показать свернуть Корпус SOT-23-3 Конфигурация и полярность Максимальное напряжение сток-исток Ток стока номинальный при 25°C Сопротивление открытого канала (мин) Диапазон номинальных напряжений затвора Максимальное напряжение затвора Рассеиваемая мощность Особенности Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER Файлы 1 показать свернуть MMBF170 N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 Features     3 Surface-mounted package Advanced trench cell design Extremely low threshold voltage ESD protected ( HBM > 2KV ) 1 Quick reference      2 Top View BV ≧ 60 V Ptot ≦ 0.83 W ID ≦ 0.5 A RDS(ON) ≦ 3 Ω @ VGS = 10 V RDS(ON) ≦ 4 Ω @ VGS = 4.5 V 1 Gate(G) 2 Source(S) 3 Drain(D) Limiting Values Symbol Parameter Conditions Min Max Unit VDS Drain-Source Voltage TA = 25 °C - 60 V VGS Gate-Source Voltage TA = 25 °C - ± 20 V ID* Drain Current TA = 25 °C, VGS = 10 V - 0.5 Pulsed Drain Current TA = 25 °C, VGS = 10 V - 1.7 TA = 25 °C - 0.83 TA = 100 °C - 0.33 , IDM* ** A A W Ptot* Total Power Dissipation Tstg Storage Temperature - 55 150 °C TJ Junction Temperature - 150 °C IS* Diode Forward Current - 0.4 A - 150 °C/W RθJA* Notes:* REV.08 TA = 25 °C Thermal Resistance- Junction to Ambient Surface Mounted on 1 in 2 pad area, t ≤ 10 sec 1 of 6 ** Pulse width ≤ 300 μs, duty cycle ≤ 2 % PDF Документация на MMBF170 Microsoft Word - T2N7002ELT1G_2012-06-12_.doc Дата модификации: 12.06.2012 Размер: 771.4 Кб 6 стр. найти MMBF170.pdf Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя. C3M0120090D (CREE PWR) SCQ065G15H (SUNCO) Москва, Новохохловская ул., 23, стр.1 +7 (495) 995-0901 Санкт-Петербург +7 (812) 327-9404 Служба контроля качества Помощь по работе с сайтом Требования к браузеру Правовая информация Соответствует требованиям ISO 9001:2015 АО «КОМПЭЛ» © 1993-2026