BT148W-600R.115

Источник / остаток

Внешний склад · 76 шт. на внешнем складе

Lead time

Подтвердим по внешнему складу

MOQ

Уточняется при подтверждении

Кратность заказа

Не задана в источнике

Фасовка

Не указана в источнике

Date code / партия

Год / маркировка партии не указаны

Документация

Datasheet: 1

Тиристор: 600 В, 1 А, -40...125 , цена, описание, сравнение аналогов, статьи BT148W-600R.115 / WEEN SemiconductorS Co., Ltd. Главная Каталог Дискретные полупроводники Диоды и тиристоры Тиристоры Публикации Каталог Компания BT148W-600R.115 WEEN SemiconductorS Co., Ltd. Тиристор: 600 В, 1 А, -40...125 развернуть ▼ свернуть ▲ Группа: Тиристоры Корпус: SOT-223 Норма упаковки: 1000 шт. (в ленте) сравнитьтовар в списке сравнения Технические характеристики показать свернуть Корпус SOT-223 Тип управляемого диода Максимальное рабочее напряжение Ток коммутации номинальный Напряжение удержания открытого состояния Ток управляющего электрода на включение Ток управляющего электрода на выключение Время включения Время выключения Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER Файлы 1 показать свернуть Philips Semiconductors Product specification Thyristors logic level GENERAL DESCRIPTION Glass passivated, sensitive gate thyristors in a plastic envelope suitable for surface mounting, intended for use in general purpose switching and phase control applications. These devices are intended to be interfaced directly to microcontrollers, logic integrated circuits and other low power gate trigger circuits. PINNING - SOT223 PIN QUICK REFERENCE DATA SYMBOL VDRM, VRRM IT(AV) IT(RMS) ITSM PARAMETER MAX. MAX. MAX. UNIT BT148WRepetitive peak off-state voltages Average on-state current RMS on-state current Non-repetitive peak on-state current 400R 400 500R 500 600R 600 V 0.6 1 10 0.6 1 10 0.6 1 10 A A A PIN CONFIGURATION DESCRIPTION 1 cathode 2 anode 3 gate tab BT148W series anode SYMBOL 4 a 2 1 k g 3 LIMITING VALUES Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134). SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VDRM, VRRM Repetitive peak off-state voltages IT(AV) IT(RMS) ITSM I2t dIT/dt IGM VGM VRGM PGM PG(AV) Tstg Tj Average on-state current RMS on-state current Non-repetitive peak on-state current half sine wave; Tsp ≤ 112 ̊C all conduction angles half sine wave; Tj = 25 ̊C prior to surge t = 10 ms t = 8.3 ms t = 10 ms ITM = 4 A; IG = 200 mA; dIG/dt = 200 mA/μs I2t for fusing Repetitive rate of rise of on-state current after triggering Peak gate current Peak gate voltage Peak reverse gate voltage Peak gate power Average gate power over any 20 ms period Storage temperature Operating junction temperature MIN. MAX. UNIT - -400R -500R -600R 4001 5001 6001 V - 0.6 1 A A - 10 11 0.5 50 A A A2s A/μs -40 - 1 5 5 1.2 0.12 150 1252 A V V W W ̊C ̊C 1 Although not recommended, off-state voltages up to 800V may be applied without damage, but the thyristor may switch to the on-state. The rate of rise of current should not exceed 15 A/μs. 2 Note: Operation above 110 ̊C may require the use of a gate to cathode resistor of 1kΩ or less. October 1997 1 Rev 1.300 PDF Документация на BT148W-600R.115 DATASHEET SEARCH SITE | WWW.ALLDATASHEET.COM DATASHEET SEARCH, DATABOOK, COMPONENT, FREE DOWNLOAD SITE Дата модификации: 23.04.2006 Размер: 57.2 Кб 7 стр. найти BT148W-600R.115.pdf Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя. TISP61089QBDR-S (BOURNS) BT148W-600R (WEEN) Москва, Новохохловская ул., 23, стр.1 +7 (495) 995-0901 Санкт-Петербург +7 (812) 327-9404 Служба контроля качества Помощь по работе с сайтом Требования к браузеру Правовая информация Соответствует требованиям ISO 9001:2015 АО «КОМПЭЛ» © 1993-2026